Home Energiemanagement Leistungsstufen Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3626

AKTIV

GaN-FET, 700 V, 220 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² (8 mm × 5.3 mm)
  • 700V, 220mΩ, GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 700V, 220mΩ, GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3626 is a 700V 220mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3626 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3626 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3626 is a 700V 220mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3626 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3626 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 7
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt LMG3626 700V, 220 mΩ, GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. B) PDF | HTML 13.05.2025
Product overview HVDC QFN-Packaged GaN Power Devices PDF | HTML 31.03.2026
Zertifikat BEAGLEY-AI FCC Test Report 25.06.2024
Technischer Artikel The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30.01.2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30.11.2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28.11.2023
Zertifikat LMG3626EVM-074 EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 22.09.2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG3626EVM-074 — LMG3626 Evaluierungsmodul für 65-W-quasiresonanten Flyback-Wandler mit USB Type-C® PD

Das Evaluierungsmodul (EVM) LMG3626EVM-074 demonstriert die hohe Effizienz und Packungsdichte eines 65-W-USB-Power-Delivery- (PD-) Offline-Adapters unter Verwendung des integrierten GaN-FETs LMG3626 mit Strommessemulation. Der Eingang unterstützt universelle 90 VAC bis 265 VAC. Der einzelne Ausgang (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

LMG3626 SIMPLIS Model

SLUM952.ZIP (87 KB) - SIMPLIS-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos