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LMG3616

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650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz

Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 270-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 55 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 270-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 55 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3616 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3616 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.

The LMG3616 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3616 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3616 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.

The LMG3616 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 3
Typ Titel Datum
* Data sheet LMG3616650-V270-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet PDF | HTML 14 Nov 2023
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 Jan 2024
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 Nov 2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG3626EVM-074 — LMG3626 Evaluierungsmodul für 65-W-quasiresonanten Flyback-Wandler mit USB Typ-C® PD

Das Evaluierungsmodul (EVM) LMG3626EVM-074 demonstriert die hohe Effizienz und Packungsdichte eines 65-W-USB-Power-Delivery- (PD-) Offline-Adapters unter Verwendung des integrierten GaN-FETs LMG3626 mit Strommessemulation. Der Eingang unterstützt universelle 90 VAC bis 265 VAC. Der einzelne Ausgang (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Berechnungstool

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3612 650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3616 650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3622 GaN-FET, 650 V, 120 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3624 GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3626 GaN-FET, 650 V, 270 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
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  • Bausteinkennzeichnung
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  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
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