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LM5113-Q1

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Controlador de puerta de medio puente de 1.2 A/5 A y 100 V para GaNFET para automoción

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LM5113-Q1

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Detalles del producto

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to 125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD Classification Level 1C
    • Device CDM ESD Classification Level C6
  • Independent High-Side and Low-Side
    TTL Logic Inputs
  • 1.2-A Peak Source, 5-A Peak Sink Output Current
  • High-Side Floating Bias Voltage Rail
    Operates up to 100-VDC
  • Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping
  • Split Outputs for Adjustable
    Turnon and Turnoff Strength
  • 0.6-Ω Pulldown, 2.1-Ω Pullup Resistance
  • Fast Propagation Times (28 ns Typical)
  • Excellent Propagation Delay Matching
    (1.5 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to 125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD Classification Level 1C
    • Device CDM ESD Classification Level C6
  • Independent High-Side and Low-Side
    TTL Logic Inputs
  • 1.2-A Peak Source, 5-A Peak Sink Output Current
  • High-Side Floating Bias Voltage Rail
    Operates up to 100-VDC
  • Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping
  • Split Outputs for Adjustable
    Turnon and Turnoff Strength
  • 0.6-Ω Pulldown, 2.1-Ω Pullup Resistance
  • Fast Propagation Times (28 ns Typical)
  • Excellent Propagation Delay Matching
    (1.5 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption

The LM5113-Q1 is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs or silicon MOSFETs in a synchronous buck, boost, or half bridge configuration for automotive applications. The device has an integrated 100-V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is internally clamped at 5.2 V, which prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the device are TTL-logic compatible, which can withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5113-Q1 has split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently.

In addition, the strong sink capability of the LM5113-Q1 maintains the gate in the low state, preventing unintended turnon during switching. The LM5113-Q1 can operate up to several MHz. The LM5113-Q1 is available in a standard 10-pin WSON package with an exposed pad to aid power dissipation.

The LM5113-Q1 is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs or silicon MOSFETs in a synchronous buck, boost, or half bridge configuration for automotive applications. The device has an integrated 100-V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is internally clamped at 5.2 V, which prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the device are TTL-logic compatible, which can withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5113-Q1 has split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently.

In addition, the strong sink capability of the LM5113-Q1 maintains the gate in the low state, preventing unintended turnon during switching. The LM5113-Q1 can operate up to several MHz. The LM5113-Q1 is available in a standard 10-pin WSON package with an exposed pad to aid power dissipation.

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