The LMG3626 is a 700V 220mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3626 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.
The LMG3626 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| Tipo | Título | Fecha | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG3626 700V, 220 mΩ, GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 13 may 2025 |
| Certificate | BEAGLEY-AI FCC Test Report | 25 jun 2024 | ||
| Technical article | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 30 ene 2024 | |
| Application brief | Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN | PDF | HTML | 30 nov 2023 | |
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 28 nov 2023 | |
| Certificate | LMG3626EVM-074 EU Declaration of Conformity (DoC) | 22 sep 2023 |
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En el módulo de evaluación (EVM) LMG3626EVM-074 se demuestra alta eficiencia y alta densidad para un adaptador fuera de línea de 65 W con suministro de energía (PD) USB Type-C® mediante el controlador LMG3626 GaN FET integrado con emulación de detección de corriente. La entrada admite una tensión (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
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The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
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