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LMG3624

ACTIVO

Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 700 V y 155 mΩ con controlador, protección y detección

Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² (8 mm × 5.3 mm)
  • GaN power FET: 700V, 155mΩ,
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • GaN power FET: 700V, 155mΩ,
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3624 is a 700V 155mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm × 5.3mm VQFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3624 is a 700V 155mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm × 5.3mm VQFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

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* Hoja de datos LMG3624 700V, 155 mΩ, GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. C) PDF | HTML 25/09/2025
Product overview HVDC QFN-Packaged GaN Power Devices PDF | HTML 31/03/2026
Artículo técnico The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30/01/2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30/11/2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28/11/2023

Diseño y desarrollo

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