The LMG3614 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3614 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3614 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| Tipo | Título | Fecha | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG3614 650V 170 mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 30 sep 2024 |
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 28 nov 2023 |
Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.
En el módulo de evaluación LMG3624EVM-081 se demuestra alta eficiencia y alta densidad para un adaptador fuera de línea de 65 W con USB Type-C® y suministro de energía (PD) mediante el controlador FET GaN integrado LMG3624 con emulación de detección de corriente. La entrada admite una tensión (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.
Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI.
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
Rev A