CSD75208W1015

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 1.5mm のシングル WLP 封止、108mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 108 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 150 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 285 Id peak (Max) (A) -22 Id max cont (A) -1.6 QG typ (nC) 1.9 QGD typ (nC) 0.23 QGS typ (nC) 0.48 VGSTH typ (V) -0.8 Package (mm) WLP 1.0x1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 1.6 Logic level Yes
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 108 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 150 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 285 Id peak (Max) (A) -22 Id max cont (A) -1.6 QG typ (nC) 1.9 QGD typ (nC) 0.23 QGS typ (nC) 0.48 VGSTH typ (V) -0.8 Package (mm) WLP 1.0x1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 1.6 Logic level Yes
DSBGA (YZC) 6 3 mm² 1.006 x 1.5
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) PDF | HTML 2017年 5月 16日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools PDF | HTML 2022年 8月 29日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
アプリケーション・ノート AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

シミュレーション・モデル

CSD75208W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM131A.ZIP (2 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

TIDA-00488 — エネルギー・ハーベスト周辺光および環境センサ・ノード、1GHz 以下のネットワーク用、リファレンス・デザイン

TIDA-00488 は、日光エネルギー・ハーベストを使用して、超低消費電力および再生可能エネルギー活用という特長のあるワイヤレス環境センシングを実現し、バックアップ・バッテリの非常に長い動作期間も可能にします。このリファレンス・デザインは、TI の超低消費電力ハーベスト・パワー・マネージメントや、SimpleLink™ 超低消費電力 Sub-1GHz ワイヤレス・マイコン (MCU) プラットフォーム、および周囲光 / 湿度 / (...)
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00712 — スマートウォッチ電池管理ソリューション・リファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、スマート・ウォッチ用バッテリ・マネージメント・ソリューション (BMS) に適しています。このデザインは、スマートウォッチ・アプリケーションのような低消費電力ウェアラブル・デバイスに最適です。このデザインは、1 セル用の超低消費電力リチウムイオン・リニア・チャージャや、高集積の Qi 準拠ワイヤレス・パワー・レシーバ、コスト効率の優れた電圧 / 電流保護 IC、センス抵抗内蔵のシステム側のバッテリ残量計、LCD ディスプレイ・デバイスに最大 28V を出力する昇圧回路を搭載しています。

このデザインは小型サイズ (20mm x 29mm) PCB (...)

回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YZC) 6 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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