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業界標準のフットプリント、75A、同期整流降圧 NexFET™ スマート パワー ステージ

CSD95485RWJ は新規設計での使用を推奨しません
これまでにご購入されたお客様をサポートする目的でこの製品を引き続き生産しています。新規設計では代替品をご検討ください。
open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスのアップグレード版機能を搭載した、ドロップイン代替製品
CSD95410RRB アクティブ 90A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段 Improved device current rating and efficiency

製品詳細

VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VQFN-CLIP (RWJ) 41 30 mm² 6 x 5
  • 75A の連続動作電流能力
  • 30A 時に 95% を超えるシステム効率
  • 高周波数 (最高 1.25MHz) での動作
  • ダイオード・エミュレーション機能
  • 温度補償双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • フォルト監視
  • 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
  • Tri-State PWM 入力
  • ブートストラップ・スイッチ内蔵
  • 貫通電流保護のために最適化されたデッドタイム
  • 高密度 QFN、占有面積 5mm × 6mm
  • インダクタンスの非常に低いパッケージ
  • システムに対して最適化された PCB の占有面積
  • 放熱性に優れたトップサイド冷却
  • RoHS 準拠―鉛フリーの端子メッキ処理
  • ハロゲン不使用
  • 75A の連続動作電流能力
  • 30A 時に 95% を超えるシステム効率
  • 高周波数 (最高 1.25MHz) での動作
  • ダイオード・エミュレーション機能
  • 温度補償双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • フォルト監視
  • 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
  • Tri-State PWM 入力
  • ブートストラップ・スイッチ内蔵
  • 貫通電流保護のために最適化されたデッドタイム
  • 高密度 QFN、占有面積 5mm × 6mm
  • インダクタンスの非常に低いパッケージ
  • システムに対して最適化された PCB の占有面積
  • 放熱性に優れたトップサイド冷却
  • RoHS 準拠―鉛フリーの端子メッキ処理
  • ハロゲン不使用

CSD95485RWJ NexFET™電力段は、高電力、高密度の同期整流降圧コンバータ向けに高度に最適化されています。この製品はドライバICとパワーMOSFETを統合することにより、電力段スイッチング機能を実現しています。このため、5mm×6mmという小型のパッケージで大電流、高効率、高速のスイッチングに対応します。また、正確な電流センシングおよび温度センシング機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。さらに、設計期間を短縮し、システム全体の設計を簡素化できるように、PCBの占有面積を最適化しています。

CSD95485RWJ NexFET™電力段は、高電力、高密度の同期整流降圧コンバータ向けに高度に最適化されています。この製品はドライバICとパワーMOSFETを統合することにより、電力段スイッチング機能を実現しています。このため、5mm×6mmという小型のパッケージで大電流、高効率、高速のスイッチングに対応します。また、正確な電流センシングおよび温度センシング機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。さらに、設計期間を短縮し、システム全体の設計を簡素化できるように、PCBの占有面積を最適化しています。

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技術資料

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* データシート CSD95485RWJ Synchronous Buck NexFET™ Smart Power Stage SHORT.. データシート 英語版 PDF | HTML 2020年 3月 6日

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点