DRV7167
- 100V、48V システム対応のドライバを内蔵したハーフブリッジ GaN モータ ドライバ パワー ステージ
- 低い GaN オンステート抵抗
- TA = 25℃ で 2.2mΩ の RDS(ON) (FET に従う)
- 効率的で高密度の電力変換を実現できます
- 高い出力電流能力： 60Arms
- 最大 500kHz PWM のスイッチング周波数をサポート
- 超低伝搬遅延 (標準値 20ns) およびマッチング (標準値 2ns)
- GaN FET のスルーレートを構成可能
- デッド タイム最適化のためのゼロ電圧検出 (ZVD) レポート機能。
- 独立入力モード (IIM) 制御
- IO 制限コントローラ向けの抵抗により、プログラマブルなデッド タイム オプション付きシングル PWM 入力
- 5V の外部バイアス電源
- 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
- 堅牢な保護
- 独立入力モード (IIM) でのインターロック保護
- 内部ブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
- VDS 監視に基づくサイクルごとの短絡保護機能
- 過熱、低電圧、短絡イベントの故障通知
- 上面冷却をサポートするための露出上面パッドを備えた、寄生成分最適化された QFN パッケージ。
DRV7167A デバイスは、ゲート ドライバと拡張モード ガリウム ナイトライド (GaN) FET を内蔵した 100V ハーフブリッジ電力段です。このデバイスは、2 つの 100V GaN FET を駆動するハーフブリッジ構成の高周波 GaN FET ドライバで構成されています。
GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 (CISS) および出力容量 (COSS) が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられるため、PCB に簡単に取り付けられます。
TTL ロジック互換の入力は、GVDD 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧制御技術により、拡張モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内に保たれます。このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。このデバイスは、小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに最適な選択肢です。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | DRV7167A 100V、60A ハーフブリッジ GaN モーター ドライバ電力段 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/07/24 | |
| アプリケーション概要 | ヒューマノイド ロボットのモーター制御 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/06/05 |
設計と開発
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このリファレンス デザインは、産業用イーサネット接続モーター ドライブを処理する TI の Sitara™ マイコン AM261x デバイスを搭載しています。このデザインは、直径 70mm のプリント基板 (PCB) を使用して、ヒューマノイド ロボットの関節 (48V、1kW の Eyoubot モーター) を駆動します。このデザインは、小型フォームファクタと簡素化された統合プラットフォームを示します。このプラットフォームは、3 つの DRV7167 ハーフブリッジ GaN モーター ドライバ電力段を使用した高電力密度のセクション、AM2612 500MHz R5F コア (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。