DRV824x-Q1 デバイス・ファミリは、多様な車載用アプリケーション向けの統合型 H ブリッジ・ドライバです。このデバイスは、シングル・フルブリッジ・ドライバとして、または 2 つの独立したハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。パワー・パッケージに収容されたこのモノリシック・デバイス・ファミリは、BiCMOS 大電力プロセス・テクノロジー・ノードを採用した設計であり、優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ・サイズ、使いやすいレイアウト、EMI 制御能力、高精度の電流センス、信頼性、診断機能も実現しています。このファミリには、同じピン機能でスケーラブルな RON (電流容量) のデバイスがあり、さまざまな負荷に対応できます。
このデバイスには、N チャネル H ブリッジ、チャージ・ポンプ・レギュレータ、ハイサイド電流検出およびレギュレーション、電流比例出力、保護回路が内蔵されています。低消費電力のスリープ・モードにより、低い静止電流を実現できます。このデバイスは、電圧監視機能、負荷診断機能、さらに過電流および過熱に対する保護機能を搭載しています。フォルト状態は、nFAULT ピンにより通知されます。このデバイスには、3 種類のバリアントが用意されています。- ハードワイヤード・インターフェイス：HW (H) および 2 つの SPI インターフェイス・バリアント：SPI (P) と SPI (S) があり、SPI (P) はロジック電源が外部から供給され、SPI (S) はロジック電源が内部で生成されます。SPI インターフェイス・バリアントは、デバイス構成とフォルト監視において、より高い柔軟性があります。
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | DRV8244-Q1 車載用 H ブリッジ・ ドライバ、内蔵電流センスおよび診断機能付き データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 1月 5日 |
| 製品概要 | Scalable Integrated H-Bridges for Automotive Applications | PDF | HTML | 2024年 2月 27日 | |||
| 技術記事 | Benefits of flip chip on leadframe packaging for motor-drive applications | PDF | HTML | 2022年 4月 29日 | |||
| アプリケーション・ノート | Using DRV to Drive Solenoids (Rev. A) | PDF | HTML | 2022年 4月 24日 | |||
| 技術記事 | How integrated brushed-DC solutions can reduce size, enhance protection and simpli | PDF | HTML | 2022年 4月 20日 | |||
| 機能安全情報 | DRV8244-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 12月 6日 | |||
| アプリケーション・ノート | Calculating Power Dissipation for a H-Bridge or Half Bridge Driver (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 7月 22日 |
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DRV824x-Q1 デバイス ファミリは、多様な車載アプリケーションを想定した統合型 H ブリッジ ドライバです。DRV824x-Q1 デバイスは、単一の H ブリッジ ドライバ、または互いに独立した 2 個のハーフブリッジ ドライバとして構成できます。このモノリシック ダイ デバイスは、TI ( テキサス・インスツルメンツ) 独自の大電力 BiCMOS プロセス テクノロジー ノードを採用した設計であり、パワー パッケージ封止を通じて優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ サイズや、使いやすいレイアウト、EMI (...)
DRV824x-Q1 デバイス ファミリは、多様な車載アプリケーションを想定した統合型 H ブリッジ ドライバです。DRV824x-Q1 デバイスは、単一の H ブリッジ ドライバ、または互いに独立した 2 個のハーフブリッジ ドライバとして構成できます。このモノリシック ダイ デバイスは、TI ( テキサス・インスツルメンツ) 独自の大電力 BiCMOS プロセス テクノロジー ノードを採用した設計であり、パワー パッケージ封止を通じて優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ サイズや、使いやすいレイアウト、EMI (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGQ) | 28 | Ultra Librarian |
| VQFN-HR (RYJ) | 16 | Ultra Librarian |
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