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ISO5852S

アクティブ

分割出力対応、STO (セーフ・トルク・オフ)、各種保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI):100kV/µs
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および 5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定
  • V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI):100kV/µs
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および 5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定

ISO5852S デバイスは、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS 強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V~5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2µs の間 Low になります。OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である V EE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。 FLT 出力状態はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、 RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5852S デバイスは、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5852S デバイスは、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS 強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V~5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2µs の間 Low になります。OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である V EE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。 FLT 出力状態はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、 RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5852S デバイスは、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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技術資料

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設計および開発

デスクトップにある「Design & development」(設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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