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LMG3612

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ドライバーおよび保護回路内蔵 650V 120mΩ GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 120mΩ GaN パワー FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX 静止電流：55µA
  • 電源および入力ロジック ピン最大電圧：26V
  • サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ
  • 650V 120mΩ GaN パワー FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX 静止電流：55µA
  • 電源および入力ロジック ピン最大電圧：26V
  • サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ

LMG3612 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3612 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。

プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。

LMG3612 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。

LMG3612 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3612 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。

プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。

LMG3612 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。
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技術資料

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3 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG3612 650V 120 mΩ GaN FET、ドライバを内蔵 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 15日
技術記事 The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024年 1月 30日
製品概要 Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023年 11月 28日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG3622EVM-082 — USB Type-C® PD 付き 65W 擬似共振フライバックコンバータ用 LMG3622 評価基盤

LMG3622EVM-082 は、電流センスエミュレーション機能付き LMG3622 統合 GaN FET を使用した 65W USB Type-C® Power Delivery（PD）オフラインアダプターにおいて、高効率と高密度を実証しています。  入力は、90VAC ～ 265VAC のユニバーサル範囲に対応し、単一出力は 5V、9V、15V のいずれかに設定でき、どの場合も最大 3A を供給できます。また、20V で最大 3.25A を供給することもできます。USB PD インターフェイス コントローラによる制御が可能です。  公称で最大 200kHz (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
計算ツール

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
  • LMG3612 — ドライバーおよび保護回路内蔵 650V 120mΩ GaN FET
  • LMG3614 — ドライバと保護機能内蔵、650V、170mΩ、GaN FET
  • LMG3616 — ドライバと保護機能内蔵した、650V、270mΩ、GaN FET
  • LMG3622 — 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection
  • LMG3624 — 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
  • LMG3626 — 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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