LMG3612
- 650V 120mΩ GaN パワー FET
- 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
- FLT ピン通知付きの過熱保護
- AUX 静止電流：55µA
- 電源および入力ロジック ピン最大電圧：26V
- サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ
LMG3612 は、スイッチ モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3612 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。
プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。
LMG3612 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン ドレインの FLT ピンで通知されます。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG3612 650V 120 mΩ GaN FET、ドライバを内蔵 データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023/11/15 |
| 技術記事 | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024/01/30 | |||
| 製品概要 | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 2023/11/28 |
設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。