LMG3670R010
統合型ドライバ内蔵、650V、10mΩ、STOLT パッケージ化 GaN FET
データシート
LMG3670R010
- ゲート ドライバ内蔵、650V、10mΩ の GaN 電力 FET
- >200V/ns の FET ホールド オフ
- 10V/ns から 80V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 電源ピンと入力ロジック ピンの 9V から 26V の電圧範囲で動作します
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 300ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- 高度なパワー マネージメント
- LMG3676R010 は、ソフトスイッチング コンバータとを利用可能にするゼロ電圧検出機能 (ZVD) を備えています。
- LMG3677R010 は、ソフトスイッチング コンバータとを利用可能にするゼロ電流検出機能 (ZCD) を備えています。
- トップサイド放熱の 9.9mm × 12.3mm スリム TOLT (STOLT) パッケージは、電気経路と熱経路を分離し、電力ループのインダクタンスを最小化します
統合型ドライバと保護機能を搭載した LMG367xR010 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を実現できます。
調整可能なゲート ドライブ強度により、独立な有効化と最大限無効化スルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。ターンオンのスルーレートは 10V/ns から 80V/ns まで変化しますが、ターンオフのスルーレート、負荷電流の大きさに応じて 10V/ns から最大値に制限することができます。保護機能として、低電圧ロックアウト (UVLO)、サイクル単位の電流制限、短絡保護、および過熱保護が搭載されています。LMG3671R010は、外部デジタル アイソレータに電源を供給するための 5V LDO 出力を LDO5V ピンに備えています。LMG3676R010 は、ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したとき ZVD ピンからパルスを出力します。LMG3677R010 は、ドレイン-ソース間電流が負であり、ゼロクロスポイント検出時に Low に遷移すると ZCD ピンを High に設定するゼロ電流検出 (ZCD) 機能を備えています。
技術資料
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| * | データシート | LMG367xR010 ドライバと保護機能を内蔵した 650V、 10 mΩ GaN FET データシート | PDF | HTML | 2026年 3月 10日 |
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