TPS3840
- 広い動作電圧範囲:1.5V ~ 10V
- ナノアンペア単位の電源電流:300nA (標準値)、700nA (最大値)
- 固定スレッショルド電圧 (VIT-)
- スレッショルドは、1.6V ~ 4.9V の範囲で 0.1V 刻み
- 高精度:±1% (標準値)、±1.5% (最大値)
- ヒステリシス内蔵 (VIT+)
- 1.6V ≤ VIT- ≤ 3.0V = 100mV (標準値)
- 3.1V ≤ VIT- ≤ 4.9V = 200mV (標準値)
- スタートアップ遅延 (tSTRT):220µs (標準)、350µs (最大)
- プログラマブル リセット時間遅延 (tD):
- 50µs (コンデンサなし) ~ 6.2s (10µF)
- アクティブ "Low" のマニュアル リセット (MR)
- 3 つの出力トポロジ:
- TPS3840DL:オープン ドレイン、アクティブ "Low" (RESET)、プルアップ抵抗が必要
- TPS3840PL:プッシュプル、アクティブ "Low" (RESET)
- TPS3840PH:プッシュプル、アクティブ "High" (RESET)
- 幅広い温度範囲:–40°C ~ +125°C
- パッケージ:SOT23-5 (DBV)
広い Vin により、外部コンポーネントなしで 9V レールやバッテリを監視でき、外付け抵抗を使用して 24V レールを監視できます。ナノ静止電流は、低消費電力アプリケーションのバッテリ動作時間を延長し、外付け抵抗を使用するときの消費電流を最小限に抑えます。スタートアップ遅延により、システムの他の部分が電源オンになる前に電圧フォルトを検出できるため、危険なスタートアップ フォルト条件でも最大限の安全性を確保できます。パワーオン リセット電圧 (VPOR) が低いため、誤ったリセットや次のデバイスの早すぎるイネーブルまたは電源オンを防止し、パワーアップおよびパワーダウン時に適切なトランジスタ制御を実現できます。
リセット出力信号は、VDD の電圧が負の電圧スレッショルド (VIT-) を下回ったとき、またはマニュアル リセット (MR) がロジック "Low" にされたとき (VMR_L) にアサートされます。リセット信号は、VDD が VIT- にヒステリシス (VIT+) を加えた値を上回り、マニュアル リセットがフローティングまたは VMR_H を上回った状態で、リセット時間遅延 (tD) が経過したとき、クリアされます。CT ピンとグランドの間にコンデンサを接続することで、リセット時間遅延をプログラミングできます。高速リセットには、CT ピンをフローティングのままにします。
その他の機能:MR と VDD の内蔵グリッチ耐性保護、内蔵ヒステリシス、低いオープン ドレイン出力リーク電流 (ILKG(OD)) があります。
技術資料
設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点