TPS3840
- 広い動作電圧:1.5V~10V
- ナノアンペア単位の消費電流:標準値 300nA、最大値 700nA
- 固定スレッショルド電圧 (VIT-)
- 1.6V から 4.9V まで 0.1V 刻みのスレッショルド
- 高精度:標準値 1%、最大値 1.5%
- ヒステリシス内蔵 (VIT+)
- 1.6V < VIT- ≤ 3.0V:100mV (標準値)
- 3.1V ≤ VIT- < 4.9V:200mV (標準値)
- スタートアップ遅延 (tSTRT):標準値 220µs、最大値 350µs
- リセット遅延時間をプログラム可能 (tD)
- 50µs (コンデンサなし) から 6.2s (10µF) まで
- アクティブ LOW のマニュアル・リセット (MR)
- 3 つの出力トポロジ
- TPS3840DL:オープン・ドレイン、アクティブ LOW (RESET)、プルアップ抵抗が必要
- TPS3840PL:プッシュプル、アクティブ LOW (RESET)
- TPS3840PH:プッシュプル、アクティブ HIGH (RESET)
- 広い温度範囲:-40℃~+125℃
- パッケージ:SOT23-5 (DBV)
Vin が広いため、外付け部品を使用しないで 9V のレールまたはバッテリを監視できます。また、外付け抵抗を使用すると 24V のレールを監視できます。Nano-Iq により低消費電力アプリケーションでのバッテリ動作時間を延長し、また外付け抵抗を使用する際の消費電流を最小化できます。スタートアップ遅延により、システムの他の部分が電源オンになる前に電圧フォルトを検出できるため、危険なスタートアップ・フォルト条件でも最大限の安全性を確保できます。パワーオン・リセット電圧 (VPOR) が低いため、誤ったリセットや次のデバイスの早すぎるイネーブルまたは電源オンを防止し、電源オンおよびオフ時に適切なトランジスタ制御を実現できます。
リセット出力信号は、VDD の電圧が負の電圧スレッショルド (VIT-) を下回った場合、またはマニュアル・リセット (MR) が論理 LOW (VMR_L) に駆動された場合、アサートされます。リセット信号は、VDD が VIT- にヒステリシスを加えた値 (VIT+) を上回った場合、またはマニュアル・リセットがフローティングまたは VMR_H を上回った状態でリセット遅延時間 (tD) が経過した場合、クリアされます。CT ピンとグランドの間にコンデンサを接続することで、リセット遅延時間をプログラムできます。高速にリセットする場合は、CT ピンをフローティングのままにします。
その他の特長として、MR と VDD の内蔵グリッチ耐性保護、内蔵ヒステリシス、低いオープン・ドレイン出力リーク電流 (ILKG(OD)) があります。
技術資料
設計および開発
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TPS3840EVM — TPS3840 ナノパワー、高入力電圧スーパーバイザの評価モジュール
The TPS3840 evaluation module (EVM) is a platform for evaluating the TPS3840 device, which is a nanopower voltage supervisor with manual reset and programmable reset delay. TPS3840 offers operation up to 10 V, while maintaining very-low quiescent current of 350 nA (typ) in addition to 1% (...)
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パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
---|---|---|
SOT-23 (DBV) | 5 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果