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TPS7H1210-SEP

アクティブ

宇宙用強化プラスチック封止、耐放射線特性、-3V ~ -16.5V 入力、1A、負電圧リニア・レギュレータ

製品詳細

Output options Adjustable Output, Negative Output Iout (Max) (A) 1 Vin (Max) (V) -3 Vin (Min) (V) -16.5 Vout (Max) (V) -1.2 Vout (Min) (V) -15.5 Noise (uVrms) 13.7 Iq (Typ) (mA) 0.21 Thermal resistance θJA (°C/W) 32.7 Rating Space Load capacitance (Min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Soft start Accuracy (%) 2 PSRR @ 100 KHz (dB) 61 Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) 363 Operating temperature range (C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV.cm2/mg) 43 Radiation, TID (Typ) (krad) 30
Output options Adjustable Output, Negative Output Iout (Max) (A) 1 Vin (Max) (V) -3 Vin (Min) (V) -16.5 Vout (Max) (V) -1.2 Vout (Min) (V) -15.5 Noise (uVrms) 13.7 Iq (Typ) (mA) 0.21 Thermal resistance θJA (°C/W) 32.7 Rating Space Load capacitance (Min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Soft start Accuracy (%) 2 PSRR @ 100 KHz (dB) 61 Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) 363 Operating temperature range (C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV.cm2/mg) 43 Radiation, TID (Typ) (krad) 30
VQFN (RGW) 20 25 mm² 5 x 5
  • Vendor item drawing available, VID V62/21616
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 43 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 43 MeV-cm2/mg
  • Low noise: 13.7-µVRMS typical (10 Hz to 100 kHz)
  • High power-supply rejection ration, PSRR (typical at VIN = –6 V, VOUT = –5 V, IOUT = 1 A):
    • 61 dB at 100 Hz
    • 61 dB at 100 kHz
    • 41 dB at 1 MHz
  • Input voltage range: –3 V to –16.5 V
  • Adjustable output: –1.2 V to –15.5 V
  • Up to 1-A output current
  • Stable with ceramic capacitors ≥ 10 µF
  • Built-in current-limit and thermal shutdown protection
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhanced mold compound for low outgassing
  • Vendor item drawing available, VID V62/21616
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 43 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized to LET = 43 MeV-cm2/mg
  • Low noise: 13.7-µVRMS typical (10 Hz to 100 kHz)
  • High power-supply rejection ration, PSRR (typical at VIN = –6 V, VOUT = –5 V, IOUT = 1 A):
    • 61 dB at 100 Hz
    • 61 dB at 100 kHz
    • 41 dB at 1 MHz
  • Input voltage range: –3 V to –16.5 V
  • Adjustable output: –1.2 V to –15.5 V
  • Up to 1-A output current
  • Stable with ceramic capacitors ≥ 10 µF
  • Built-in current-limit and thermal shutdown protection
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhanced mold compound for low outgassing

The TPS7H1210-SEP negative voltage linear regulator is a low noise, high PSRR regulator capable of sourcing a maximum load of 1 A.

The regulator include a CMOS logic-level-compatible enable pin (EN) to allow for user-customizable power management schemes. Other features include built-in current limit and thermal shutdown to protect the device and system during fault conditions.

The TPS7H1210-SEP device is designed using bipolar technology primarily for high-accuracy, low-noise applications, where clean voltage rails are critical to maximize system performance. Therefore, it ideal to power op amps, ADCs, DACs, and other high-performance analog circuitry.

Additionally, the TPS7H1210-SEP device is suitable for post DC-DC converter regulation. By filtering the output voltage ripple inherent to DC-DC switching conversion, maximum system performance is ensured in sensitive devices and RF applications.

The TPS7H1210-SEP negative voltage linear regulator is a low noise, high PSRR regulator capable of sourcing a maximum load of 1 A.

The regulator include a CMOS logic-level-compatible enable pin (EN) to allow for user-customizable power management schemes. Other features include built-in current limit and thermal shutdown to protect the device and system during fault conditions.

The TPS7H1210-SEP device is designed using bipolar technology primarily for high-accuracy, low-noise applications, where clean voltage rails are critical to maximize system performance. Therefore, it ideal to power op amps, ADCs, DACs, and other high-performance analog circuitry.

Additionally, the TPS7H1210-SEP device is suitable for post DC-DC converter regulation. By filtering the output voltage ripple inherent to DC-DC switching conversion, maximum system performance is ensured in sensitive devices and RF applications.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H1210-SEP –16.5-V, 1-A, Negative Linear Regulator in Space Enhanced Plastic データシート PDF | HTML 2021年 11月 23日
* VID TPS7H1210-SEP VID V62-21616 2022年 1月 4日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP Negative LDO SEE Report 2021年 12月 13日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP NDD Characterization 2021年 11月 24日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP TID (LDR & HDR) Report 2021年 11月 24日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2021年 11月 8日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. I) 2022年 3月 3日
ユーザー・ガイド TPS7H1210EVM User's Guide PDF | HTML 2021年 11月 22日
証明書 TPS7H1210EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021年 10月 4日
アプリケーション・ノート Sapce enhance plastic 2019年 7月 29日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

TPS7H1210EVM — TPS7H1210-SEP -3V~-16.5V 入力、1A の負電圧リニア・レギュレータ用の評価基板

TPS7H1210 評価基板 (EVM) は、宇宙用強化型、低ドロップアウト (LDO)、負電圧リニア・レギュレータである TPS7H1210 -SEP を評価するためのエンジニアリング・デモ・ボードです。

TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

TPS7H1210-SEP PSpice Transient Model TPS7H1210-SEP PSpice Transient Model

パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RGW) 20 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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