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TPSI2072-Q1

アクティブ

車載、2mA のアバランシェ定格、2 チャネル、600V、50mA、絶縁型スイッチ

この製品には新バージョンがあります

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
新規 TPSI2260-Q1 アクティブ 車載、600V、50mA 絶縁スイッチ、強化絶縁およびアバランシェ保護付き Automotive 600V, 50mA Isolated Switch with Reinforced Isolation. Improved Emissions.

製品詳細

FET Internal Number of channels 2 Switching voltage (max) (V) 600 Rating Automotive Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Features 2-mA avalanche current Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 65 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 2 Switching voltage (max) (V) 600 Rating Automotive Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Features 2-mA avalanche current Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 65 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 車載アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1:-40~125℃、T A
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
      • V HIPOT, 5-s = 4300V、R series は 1.83MΩ 超
      • V HIPOT, 5-s = 2850V、R series は 1.1MΩ 超
    • 600V のスタンドオフ電圧
    • R ON = 65Ω (T J = 25℃)
    • I OFF = 1µA ( 500V 時) (T J = 105℃)
  • 1 次側低消費電流
    • 5mA シングル・チャネル、9mA 2 チャネル・オン状態電流
  • 機能安全対応
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年を超える予測寿命
    • 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
  • 熱性能を向上させるワイド・ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離:8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離: 3mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
  • 車載アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1:-40~125℃、T A
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
      • V HIPOT, 5-s = 4300V、R series は 1.83MΩ 超
      • V HIPOT, 5-s = 2850V、R series は 1.1MΩ 超
    • 600V のスタンドオフ電圧
    • R ON = 65Ω (T J = 25℃)
    • I OFF = 1µA ( 500V 時) (T J = 105℃)
  • 1 次側低消費電流
    • 5mA シングル・チャネル、9mA 2 チャネル・オン状態電流
  • 機能安全対応
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年を超える予測寿命
    • 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
  • 熱性能を向上させるワイド・ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離:8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離: 3mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)

TPSI2072-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された 2 チャネル絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト・リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN1 および EN2 ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V~20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN1 および EN2 ピンを 2.1V~20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、 VDD、EN1、EN2 ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動できます。

2 次側 の各チャネルは双方向 MOSFET で構成されており、 SM から S1 および SM から S2 へのスタンドオフ電圧は、 +/-600V となっています。 TPSI2072-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

TPSI2072-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された 2 チャネル絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト・リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN1 および EN2 ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V~20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN1 および EN2 ピンを 2.1V~20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、 VDD、EN1、EN2 ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動できます。

2 次側 の各チャネルは双方向 MOSFET で構成されており、 SM から S1 および SM から S2 へのスタンドオフ電圧は、 +/-600V となっています。 TPSI2072-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

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技術資料

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* データシート TPSI2072-Q1 2 チャネル 600V、50mA、車載用絶縁スイッチ、2mA の絶縁監視および高電圧測定用アバランシェ定格搭載 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021/01/25
アプリケーション・ノート Basics of Solid-State Relays PDF | HTML 2024/07/24
機能安全情報 TPSI2072-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA 2023/06/30
証明書 TPSI2072Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/06/27
製品概要 When to use SSR or Isolated Gate Driver PDF | HTML 2022/08/04

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPSI2072Q1EVM — TPSI2072-Q1 2 チャネル、600V 絶縁型スイッチの評価基板

TPSI2072-Q1 向け評価基板は、複数のテスト ポイントと複数のジャンパを実装した 2 層基板であり、このデバイスの機能を包括的に評価できます。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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