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TPSI2072-Q1

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自動車用、2mA のアバランシェ定格、2 チャネル、600V、50mA、絶縁型スイッチ

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TPSI2072-Q1

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製品詳細

Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Switching voltage (max) (V) 600 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 65 Number of channels 2 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Features 2-mA avalanche current TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Rating Automotive Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Switching voltage (max) (V) 600 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 65 Number of channels 2 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Features 2-mA avalanche current TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 1 Rating Automotive Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、T A
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
      • V HIPOT, 5-s = 4300V、R series は 1.83MΩ 超
      • V HIPOT, 5-s = 2850V、R series は 1.1MΩ 超
    • 600V のスタンドオフ電圧
    • R ON = 65Ω (T J = 25℃)
    • I OFF = 1µA ( 500V 時) (T J = 105℃)
  • 1 次側低消費電流
    • 5mA シングル・チャネル、9mA 2 チャネル・オン状態電流
  • 機能安全対応
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年を超える予測寿命
    • 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
  • 熱性能を向上させるワイド・ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離： 3mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
  • 車載アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、T A
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • I AVA = 5 秒パルスで 2mA、60 秒パルスで 1mA
      • V HIPOT, 5-s = 4300V、R series は 1.83MΩ 超
      • V HIPOT, 5-s = 2850V、R series は 1.1MΩ 超
    • 600V のスタンドオフ電圧
    • R ON = 65Ω (T J = 25℃)
    • I OFF = 1µA ( 500V 時) (T J = 105℃)
  • 1 次側低消費電流
    • 5mA シングル・チャネル、9mA 2 チャネル・オン状態電流
  • 機能安全対応
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1000V RMS/1500V DC の動作電圧で 26 年を超える予測寿命
    • 絶縁定格、V ISO、最大 3750V RMS/5300V DC
  • 熱性能を向上させるワイド・ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離： 3mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01 (計画中)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)

TPSI2072-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された 2 チャネル絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト・リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN1 および EN2 ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V～20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN1 および EN2 ピンを 2.1V～20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、 VDD、EN1、EN2 ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動できます。

2 次側 の各チャネルは双方向 MOSFET で構成されており、 SM から S1 および SM から S2 へのスタンドオフ電圧は、 +/-600V となっています。 TPSI2072-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

TPSI2072-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された 2 チャネル絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。 TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト・リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐ フェイルセーフ EN1 および EN2 ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V～20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN1 および EN2 ピンを 2.1V～20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、 VDD、EN1、EN2 ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動できます。

2 次側 の各チャネルは双方向 MOSFET で構成されており、 SM から S1 および SM から S2 へのスタンドオフ電圧は、 +/-600V となっています。 TPSI2072-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。
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技術資料

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* データシート TPSI2072-Q1 2 チャネル 600V、50mA、車載用絶縁スイッチ、2mA の絶縁監視および高電圧測定用アバランシェ定格搭載 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 1月 25日
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設計および開発

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評価ボード

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リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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