TPSI2260-Q1
- 車載アプリケーション認定済み
- AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、TA
- 低 EMI
- 追加部品なしで CISPR25 Class 5 の性能に適合
- アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
- 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
- TPSI2260-Q1：IAVA = 1mA (60s パルス)
- TPSI2260C-Q1：IAVA = 0.6mA (60s パルス)
- TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA (60s パルス)
- 600Vスタンドオフ電圧
- RON = 65Ω (TJ = 25°C)
- IOFF = 1.22µA (500V 時、TJ = 105°C)
- 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
- 1 次側低消費電流
- オン状態電流：5mA
- オフ状態電流 (TJ = 25℃)：3.5µA
-
機能安全規格に対応
- ISO 26262 および IEC 61508 システムの設計を支援するドキュメントを使用可能
- 堅牢な絶縁バリア：
- 1500VRMS / 2120DC の動作電圧で 30 年以上の予測寿命
- 強化絶縁定格、VISO、最大 5000VRMS
- 熱性能を向上させるワイド ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
- 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
- 沿面距離と空間距離：6mm 以上 (スイッチ端子間)
- 安全関連の認証
- (申請予定) DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
TPSI2260-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド ステート リレーです。TPSI2260-Q1 は、TI の高信頼性の強化容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。TPSI2260-Q1 は、TI の容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。
デバイスの 1 次側はわずか 5mA の入力電流で電力供給されており、また、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V ～ 20V のシステム電源に接続し、デバイスの EN ピンを 2.1V ～ 20V のロジック High の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンおよび EN ピンを一緒にシステム電源から直接、または GPIO 出力から駆動できます。
2 次側は、S1 から S2 までのスタンドオフ電圧が ±600V の双方向 MOSFET で構成されています。TPSI2260-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) や最大 1mA (TPSI2240C-Q1 の場合は 0.6mA、TPSI2260T-Q1 の場合は 3mA) の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPSI2260-Q1 600V、50mA 車載強化ソリッドステート リレー、アバランシェ保 護機能搭載 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/07/01 | |
| 機能安全情報 | TPSI2260-Q1, TPSI2260C-Q1, and TPSI2260T-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) | PDF | HTML | 2026/01/26 | |||
| 証明書 | TPSI2260Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025/01/24 |
設計と開発
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TPSI2260Q1EVM — TPSI2260-Q1 評価基板
TPSI2260Q1EVM 評価基板は、複数のテスト ポイントと複数のジャンパを実装したハードウェア評価基板 (EVM) であり、このデバイスの性能と機能を包括的に評価できます。この評価モジュールには、TPSI2260-Q1 を大規模アプリケーションの電源システムの一部として設計する前に、テストと評価を実行するために必要なものがすべて付属しています。TPSI2260Q1EVM は スタンドアロンで使用することも、オプションで外部マイコンと組み合わせてデバイスのイネーブル信号を駆動することもできます。評価基板を使用して、誘電体耐性試験 (高電位 [HiPot] 試験とも呼ぶ) や DC (...)
TPSI2260X-Q1-HIPOT-RESISTANCE-CALC — TPSI2260x/Q1 HiPot デザイン カリキュレータ
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (DWQ) | 11 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。