UCC27210
- Drives Two N-Channel MOSFETs in High-Side
and Low-Side Configuration With Independent
Inputs - Maximum Boot Voltage 120-V DC
- 4-A Sink, 4-A Source Output Currents
- 0.9-Ω Pullup and Pulldown Resistance
- Input Pins Can Tolerate –10 V to 20 V and Are
Independent of Supply Voltage Range - TTL or Pseudo-CMOS Compatible Input Versions
- 8-V to 17-V VDD Operating Range, (20-V Absolute
Maximum) - 7.2-ns Rise and 5.5-ns Fall Time With 1000-pF
Load - Fast Propagation Delay Times (18 ns Typical)
- 2-ns Delay Matching
- Symmetrical Undervoltage Lockout for High-Side
and Low-Side Driver - All Industry Standard Packages Available (SOIC-8,
PowerPAD™ SOIC-8, 4-mm × 4-mm SON-8
and 4-mm × 4-mm SON-10) - Specified from –40 to 140 °C
The UCC27210 and UCC27211 drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers, but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4-A source and 4-A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9 Ω, thereby allowing for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure is now able to directly handle 10 VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a maximum rating of 20-V.
The switching node (HS pin) of the UCC2721x can handle 18 V maximum which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27210 (Pseudo-CMOS inputs) and UCC27211 (TTL inputs) have increased hysteresis allowing for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.
The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 2 ns between the turnon and turnoff of each other.
An on-chip 120-V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers providing symmetric turnon and turnoff behavior and forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.
Both devices are offered in 8-pin SOIC (D), PowerPAD SOIC-8 (DDA), 4-mm × 4-mm SON-8 (DRM) and SON-10 (DPR) packages.
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | UCC2721x 120-V Boot, 4-A Peak, High-Frequency High-Side and Low-Side Driver データシート (Rev. F) | PDF | HTML | 2014年 12月 18日 | ||
アプリケーション・ノート | Understanding and comparing peak current capability of gate drivers | PDF | HTML | 2021年 3月 30日 | |||
アプリケーション概要 | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
アプリケーション概要 | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
その他の技術資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
セレクション・ガイド | 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) | 英語版 (Rev.R) | 2018年 9月 13日 | |||
その他の技術資料 | ハイサイド・ローサイド・ドライバ 120Vブート、ピーク/シンク・ソース 電流4A、高周波動作 | 2014年 4月 3日 | ||||
その他の技術資料 | Improving System Efficiency With a New Intermediate-Bus Architecture | 2011年 9月 20日 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
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HSOIC (DDA) | 8 | オプションの表示 |
SOIC (D) | 8 | オプションの表示 |
VSON (DRM) | 8 | オプションの表示 |
WSON (DPR) | 10 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。