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LMG1210

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1.5A, 3A, 200V 하프 브리지 게이트 드라이버, 5V UVLO, GaNFET 및 MOSFET용 프로그래머블 데드 타임

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LMG1210

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
WQFN (RVR) 19 12 mm² 4 x 3
  • Up to 50-MHz operation
  • 10-ns typical propagation delay
  • 3.4-ns high-side to low-side matching
  • Minimum pulse width of 4 ns
  • Two control input options
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Independent input mode
  • 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
  • External bootstrap diode for flexibility
  • Internal LDO for adaptability to voltage rails
  • High 300-V/ns CMTI
  • HO to LO capacitance less than 1 pF
  • UVLO and overtemperature protection
  • Low-inductance WQFN package
  • Up to 50-MHz operation
  • 10-ns typical propagation delay
  • 3.4-ns high-side to low-side matching
  • Minimum pulse width of 4 ns
  • Two control input options
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Independent input mode
  • 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
  • External bootstrap diode for flexibility
  • Internal LDO for adaptability to voltage rails
  • High 300-V/ns CMTI
  • HO to LO capacitance less than 1 pF
  • UVLO and overtemperature protection
  • Low-inductance WQFN package

The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.

To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.

The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.

The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.

To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.

The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG1210EVM-012 — LMG1210 하프 브리지 개방형 루프 평가 모듈

LMG1210EVM-012는 GaN FET용 LMG1210 메가헤르츠 200V 하프 브리지 드라이버를 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 단일 LMG1210으로 구동되는 하프 브리지로 구성된 질화 갈륨 FET 두 개로 구성되어 있습니다. 보드에 컨트롤러가 없습니다.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
다운로드
시뮬레이션 모델

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
다운로드
CAD/CAE 기호

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
다운로드
계산 툴

SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
하프 브리지 드라이버
LMG1210 — 1.5A, 3A, 200V 하프 브리지 게이트 드라이버, 5V UVLO, GaNFET 및 MOSFET용 프로그래머블 데드 타임
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
요청
레퍼런스 디자인

PMP22951 — 능동 클램프 참조 설계를 적용한 54V, 3kW 위상 변이 풀 브리지

레퍼런스 설계는 GaN 기반 3kW 위상 변환 풀 브리지(PSFB) 컨버터입니다. 이 설계에서는 동기식 정류기(SR) MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 이차측에 액티브 클램프를 사용하며, 그에 따라 FOM(figure-of-merit)이 더 우수한, 상대적으로 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP22951은 일차측에서 30mΩ GaN을 사용하고, 동기식 정류기용으로 100V, 1.8mΩ GaN을 사용합니다. PSFB 제어는 TMS320F280049C 실시간 마이크로컨트롤러를 사용해 구현합니다. (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

PMP21440 — 비교: 0.8V/8W GaN 대 실리콘 전원 공급 장치 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계를 이용하면 전원 공급 장치 설계에서 GaN과 SI의 사용 방법에 대한 비교 연구를 고객에게 제공합니다. 이 설계에서는 TPS40400 컨트롤러를 사용하여 실리콘 전원 공급 장치용 CSD87381과 GaN 전원 공급 장치용 EPC2111로 LMG1210을 구동하여 0.8V/10A를 제공합니다. 이 설계는 실리콘 및 GaN 전력계를 비교하고 GaN을 사용한 설계 절충점과 필요한 최적화를 보여줍니다.
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-01634 — 고속 DC/DC 컨버터를 위한 멀티-MHz GaN 전력계 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 LMG1210 하프 브리지 GaN 드라이버와 GaN 전력 HEMT(높은 전자 모빌리티 트랜지스터)를 기반으로 멀티 MHz 전력계 설계를 구현합니다. 이 설계는 고효율 스위치와 유연한 데드 타임 조정을 통해 전력 밀도를 크게 개선하는 동시에 높은 효율과 넓은 제어 대역폭을 달성할 수 있습니다. 이 전력 단계 설계는 5G 통신사 전원, 서버, 산업용 전원 공급 장치 등과 같이 공간 제약이 있고 빠른 응답이 필요한 여러 애플리케이션에 폭넓게 적용할 수 있습니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WQFN (RVR) 19 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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