SN54LS26-SP

활성

우주 항공 4채널, 2입력, 4.5V~5.5V 양극 NAND 게이트

제품 상세 정보

Technology family LS Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 0 IOH (max) (mA) -8 Input type Bipolar Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 35 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family LS Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 0 IOH (max) (mA) -8 Input type Bipolar Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 35 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
CFP (W) 14 58.023 mm² 9.21 x 6.3
  • For Driving Low-Threshold-Voltage MOS Inputs

 

  • For Driving Low-Threshold-Voltage MOS Inputs

 

These 2-input open-collector NAND gates feature high-output voltage ratings for interfacing with low-threshold-voltage MOS logic circuits or other 12-volt systems. Although the output is rated to withstand 15 volts, the VCC terminal is connected to the standard 5-volt source.

The SN5426 and SN54LS26 are characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN7426 and SN74LS26 are characterized for operation from 0°C to 70°C.

 

These 2-input open-collector NAND gates feature high-output voltage ratings for interfacing with low-threshold-voltage MOS logic circuits or other 12-volt systems. Although the output is rated to withstand 15 volts, the VCC terminal is connected to the standard 5-volt source.

The SN5426 and SN54LS26 are characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN7426 and SN74LS26 are characterized for operation from 0°C to 70°C.

 

다운로드

관심 가지실만한 유사 제품

open-in-new 대안 비교
비교 대상 장치와 유사한 기능
SN54SC4T00-SEP 활성 통합 레벨 시프터가 있는 방사능 내성, 4채널, 2입력 1.2V~5.5V NAND 게이트 Voltage range (1.2V to 5.5V)

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
1개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet Quadruple 2-Input High-Voltage Interface Positive-NAND Gates datasheet 1988/03/01

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​