首頁 電源管理 Power stages Gallium nitride (GaN) power stages
首頁
電源管理
Power stages
Gallium nitride (GaN) power stages
最新

LMG3526R030

現行

具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET

立即訂購
產品規格表

LMG3526R030

現行
產品規格表 立即訂購

產品詳細資料

VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 650-V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200-V/ns FET hold-off
    • 2-MHz switching frequency
    • 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • Withstands 720-V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12-mm × 12-mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • Zero-voltage detection feature that facilitates soft-switching converters
  • 650-V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200-V/ns FET hold-off
    • 2-MHz switching frequency
    • 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • Withstands 720-V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12-mm × 12-mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • Zero-voltage detection feature that facilitates soft-switching converters

The LMG3526R030 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20 V/ns to 150 V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced features include digital temperature reporting, fault detection, and zero-voltage detection (ZVD). The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring. ZVD feature can provide a pulse output from ZVD pin when zero-voltage switching (ZVS) is realized.

The LMG3526R030 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20 V/ns to 150 V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced features include digital temperature reporting, fault detection, and zero-voltage detection (ZVD). The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring. ZVD feature can provide a pulse output from ZVD pin when zero-voltage switching (ZVS) is realized.
open-in-new 尋找其它 Gallium nitride (GaN) power stages
下載 觀看有字幕稿的影片 影片

您可能會感興趣的類似產品

open-in-new 比較替代產品
引腳對引腳的功能與所比較的產品相同
LMG3522R030 現行 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET Standard version without zero-voltage switching detection feature

技術文件

star =TI 所選的此產品重要文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件，然後再試一次。
檢視所有 4
類型 標題 日期
* Data sheet LMG3526R030 650-V 30-mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023年 4月 27日
Technical article GaN 開關整合如何在 PFC 中實現低 THD 與高效率 PDF | HTML 2024年 3月 21日
White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021年 6月 2日
Application note Thermal Design and Performance of Top-Side Cooled QFN 12x12 Package 2021年 3月 5日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

LMG342X-BB-EVM — 適用 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系統級評估主機板

LMG342X-BB-EVM 是一款易於使用的分接板，可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG342xR0x0 半橋電路板，例如 LMG3422EVM-043。透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路，此 EVM 可快速測量 GaN 裝置切換。此 EVM 能夠提供高達 12 A 的輸出電流，運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻率運作等)，確保不超過最高運作溫度。EVM 屬於開迴路電路板，不適合執行瞬態量測。

只需要單脈衝寬度調變輸入，具有互補脈衝寬度調變訊號，和板上產生的對應失效時間。使用具有短接地彈簧的示波器探針，提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
子卡

LMG3522EVM-042 — 配備整合式驅動器子卡的 LMG3522R030-Q1 車用 650-V 30-mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 可配置半橋中兩個 LMG3522R030 GaN FET，並具備逐週期過電流防護、鎖存短路防護功能和所有必要輔助周邊電路。此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 需要匯出核准 (1 分鐘)
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — 650-V 高電壓 emode GaN 半橋功率級 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3522R030 — 650V GAN MCM 頂部冷卻工業，30mohm LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 — 具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
lock 下載
計算工具

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET
下載
計算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET
下載
參考設計

PMP40988 — 可變頻率、ZVS、5-kW、GaN 架構、二相圖騰柱 PFC 參考設計

此參考設計為高密度且高效率的 5-kW 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 設計。此設計採用具可變頻率和零電壓切換 (ZVS) 的雙相圖騰柱 PFC 運作。此控件採用新拓撲與改良三角電流模式 (iTCM) 實現小尺寸與高效率。該設計在 TMS320F280049C 微控制器內部使用高性能處理核心，以在廣泛的操作範圍內保持高效率。PFC 採用介於 100 kHz 和 800 kHz 之間的可變頻率來運作。開放訊框功率密度 120 W/in3 實現 99% 的峰值系統效率。
Test report: PDF
封裝 引腳 下載
VQFN (RQS) 52 檢視選項
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 資格摘要
  • 進行中可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片