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氮化鎵 (GaN) 功率級

LMG2610

現行

具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋

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產品規格表

LMG2610

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產品詳細資料

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650-V GaN power-FET half bridge
  • 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8 us
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • BST idle quiescent current: 60 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 9x7 mm QFN package with dual thermal pads
  • 650-V GaN power-FET half bridge
  • 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8 us
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • BST idle quiescent current: 60 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 9x7 mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.
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類型 標題 日期
* Data sheet LMG2610 Integrated 650-V GaN Half Bridge for Active-Clamp Flyback Converters datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2022年 12月 12日
Application note Enabling Small-Form-Factor AC/DC Adapters With use of Integrated GaN Technology PDF | HTML 2023年 3月 27日
EVM User's guide Using the UCC28782EVM-030 (Rev. C) PDF | HTML 2022年 7月 28日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

UCC28782EVM-030 — 具有 ISO7710FD 的 UCC28782 主動鉗位反馳式轉換器 65-W USB-C PD EVM

UCC28782EVM-030 使用 UCC28782 主動鉗位返馳控制器展現 65-W USB Type-C™ 離線適配器的高效率和高密度。輸入支援通用 90 Vac 至 264 Vac，單輸出在最大電流 3-A 時可設爲 5 V、9 V 和 15 V，最大電流 3.25-A 時則為 20 V，可透過 USB PD 介面控制器進行調整。250-kHz 額定的高頻率操作可縮小解決方案尺寸，多模式操作則可維持高效率。LMG2610 整合了高壓側與低壓側 FET、閘極驅動器、高壓側位準移位器，並提供無耗損電流感測模擬。輸出則採用同步整流以提升效率。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

LMG2610 SIMPLIS Model

SNOM766.ZIP (304 KB) - SIMPLIS Model
下載
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 需要匯出核准 (1 分鐘)
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R044 — 具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
lock 下載
計算工具

SNOR036 — LMG2610 Active-Clamp Flyback Power Stage Design Calculator

支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋
下載
參考設計

TIDA-050074 — 140W GaN 架構 USB PD3.0 USB-C 變壓器參考設計

‌此參考設計是基於氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。支援廣泛輸入 (90V AC 至 264VAC) 和輸出 (5V 至 28V) 電壓。它專為應用而設計，例如用於 USB PD3.1 的變壓器設計和用於電動工具的充電器。
Design guide: PDF
參考設計

PMP23146 — 適用伺服器輔助電源且具 GaN 的 45-W 高功率密度主動箝位返馳參考設計

此參考設計是針對最高功率密度設計的 GaN 式 45-W 主動箝位返馳 (ACF)。此電源供應器的設計旨在為伺服器和電信電源供應裝置 (PSU) 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610 GaN 半橋用於使用 UCC24612 驅動具有同步整流功能的平面變壓器。此輔助電源設計用途旨在以 PFC 匯流排電壓作為輸入來運作，並產生隔離式 12-V 輸出，可提供 3.7 A 與非隔離式 18-V 輸出，並可供電達 400 mA。主要隔離式 12-V 輸出受到 TPS74800 ORing 控制器的保護。多重 PMP23146 (...)
Test report: PDF
參考設計

PMP22244 — 具備 GaN 的 60-W USB Type-C® 高密度主動箝位返馳參考設計

此參考設計為高密度、60-W 115-VAC 輸入電源供應，適合採用 UCC28782 主動箝位返馳控制器、LMG2610 整合式 GaN 半橋和 UCC24612 同步整流器驅動器的 USB Type-C 應用。最大功率額定值在 20-V 或 15-V 輸出時為 60 W，在 9-V 輸出時為 54 W，在 5-V 輸出時則為 30 W。此設計的峰值效率可達 94.8%。設計尺寸為 1.5 英寸 x 3.35 英寸 x 1 英寸 (37.5 毫米 x 85 毫米 x 25 毫米)。
Test report: PDF
封裝 引腳 下載
VQFN (RRG) 40 檢視選項
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 資格摘要
  • 進行中可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

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若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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