JAJSXB4A May   2024  – September 2025 DRV8000-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格 (車載機器)
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報 (RGZ パッケージ)
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 外付け部品
    4. 7.4 機能説明
      1. 7.4.1 ヒータ MOSFET ドライバ
        1. 7.4.1.1 ヒータ MOSFET ドライバ制御
        2. 7.4.1.2 ヒータ MOSFET ドライバの保護
          1. 7.4.1.2.1 ヒータ SH_HS 内部ダイオード
          2. 7.4.1.2.2 ヒータ MOSFET VDS 過電流保護 (HEAT_VDS)
          3. 7.4.1.2.3 ヒータ MOSFET 開放負荷検出
      2. 7.4.2 ハイサイド ドライバ
        1. 7.4.2.1 ハイサイド ドライバ制御
          1. 7.4.2.1.1 ハイサイド ドライバ PWM ジェネレータ
          2. 7.4.2.1.2 定電流モード
          3. 7.4.2.1.3 OUTx HS ITRIP 動作
          4. 7.4.2.1.4 ハイサイド － パラレル出力
        2. 7.4.2.2 ハイサイド ドライバ保護回路
          1. 7.4.2.2.1 ハイサイド ドライバの内部ダイオード
          2. 7.4.2.2.2 ハイサイド ドライバの短絡保護回路
          3. 7.4.2.2.3 ハイサイド ドライバの過電流保護
          4. 7.4.2.2.4 ハイサイド ドライバの開放負荷検出
      3. 7.4.3 エレクトロクロミック ガラス ドライバ
        1. 7.4.3.1 エレクトロクロミック ドライバ制御
        2. 7.4.3.2 エレクトロクロミック ドライバ保護
      4. 7.4.4 ハーフ ブリッジ ドライバ
        1. 7.4.4.1 ハーフブリッジ制御
        2. 7.4.4.2 OUT1 および OUT2 ハイサイド ドライバ モード
        3. 7.4.4.3 ハーフ ブリッジ レジスタ コントロール
        4. 7.4.4.4 ハーフ ブリッジ ITRIP レギュレーション
        5. 7.4.4.5 ハーフブリッジの保護と診断
          1. 7.4.4.5.1 ハーフブリッジ オフ状態診断（OLP）
          2. 7.4.4.5.2 ハーフ ブリッジ開放負荷検出
          3. 7.4.4.5.3 ハーフ ブリッジ過電流保護
      5. 7.4.5 ゲート ドライバ
        1. 7.4.5.1 入力 PWM モード
          1. 7.4.5.1.1 ハーフブリッジ制御
          2. 7.4.5.1.2 H ブリッジ制御
          3. 7.4.5.1.3 DRVOFF - ゲート ドライバ シャットオフ ピン
        2. 7.4.5.2 ゲート ドライバ - 機能ブロック図
          1. 7.4.5.2.1  スマート ゲート ドライバ
          2. 7.4.5.2.2  機能ブロック図
          3. 7.4.5.2.3  スルーレート制御 (IDRIVE)
          4. 7.4.5.2.4  ゲート ドライブ ステート マシン (TDRIVE)
            1. 7.4.5.2.4.1 tDRIVE 計算例
          5. 7.4.5.2.5  伝搬遅延の低減 (PDR)
          6. 7.4.5.2.6  PDR 事前充電 / 事前放電制御ループ動作の詳細
          7. 7.4.5.2.7  PDR 充電 / 放電後の制御ループ動作の詳細
            1. 7.4.5.2.7.1 PDR の充電後 / 放電後の設定
          8. 7.4.5.2.8  駆動およびフリーホイール MOSFET の検出
          9. 7.4.5.2.9  自動デューティ サイクル補償 (DCC)
          10. 7.4.5.2.10 閉ループ スルー時間制御 (STC)
            1. 7.4.5.2.10.1 STC 制御ループのセットアップ
        3. 7.4.5.3 トリプラー (2 段) チャージ ポンプ
        4. 7.4.5.4 広同相差動電流シャント アンプ
        5. 7.4.5.5 ゲート ドライバ保護回路
          1. 7.4.5.5.1 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
          2. 7.4.5.5.2 ゲート ドライバ フォルト (VGS_GDF)
          3. 7.4.5.5.3 オフライン短絡とオープン負荷検出 (OOL / OSC)
      6. 7.4.6 センス出力（IPROPI）
      7. 7.4.7 保護回路
        1. 7.4.7.1 フォルト リセット (CLR_FLT)
        2. 7.4.7.2 DVDD ロジック電源パワーオン リセット (DVDD_POR)
        3. 7.4.7.3 PVDD 電源低電圧監視 (PVDD_UV)
        4. 7.4.7.4 PVDD 電源過電圧監視 (PVDD_OV)
        5. 7.4.7.5 VCP チャージ ポンプ低電圧誤動作防止 (VCP_UV)
        6. 7.4.7.6 サーマル クラスタ
        7. 7.4.7.7 ウォッチドッグ タイマ
        8. 7.4.7.8 障害検出と応答の概略表
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
      2. 7.5.2 SPI フォーマット
      3. 7.5.3 タイミング図
  9. 8  DRV8000-Q1 レジスタ マップ
    1. 8.1 DRV8000-Q1_STATUS レジスタ
    2. 8.2 DRV8000-Q1_CNFG レジスタ
    3. 8.3 DRV8000-Q1_CTRL レジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 IDRIVE 計算例
        2. 9.2.2.2 tDRIVE 計算例
        3. 9.2.2.3 最大 PWM スイッチング周波数
        4. 9.2.2.4 電流シャント アンプの構成
    3. 9.3 初期設定
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 バルク容量の決定
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11プロダクション前の改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 12.1 付録：パッケージ オプション
    2. 12.2 テープおよびリール情報

7.1 概要

DRV8000-Q1 デバイスには、モーター（誘導性）、抵抗性、容量性負荷の駆動および診断のための複数の機能を使用する複数のタイプのドライバが内蔵されています。このデバイスは、2 個のハーフ ブリッジ ゲート ドライバ 、6 個の内蔵ハーフブリッジ、6 個の内蔵ハイサイド ドライバ、ヒータ用の 1 個のハイサイド外部 MOSFET ゲート ドライバ、1 個のエレクトロクロミック充電用ハイサイド ゲート ドライバ、1 個のエレクトロクロミック負荷放電用ローサイド ドライバを搭載しています。各ドライバは、電流検出、保護、診断機能に加え、システム保護および診断機能を備えており、システム統合性を高めるとともに、システム全体のサイズとコストを削減します。

このデバイスのハーフブリッジ外部 MOSFET ゲート ドライバ アーキテクチャは、デッドタイムを自動的に管理してシュートスルーを防止し、スルー レートを制御して電磁妨害（EMI）を低減し、設定可能な伝搬遅延により最適化された性能を実現します。これらのゲート ドライバは、ハーフブリッジまたは H ブリッジを独立して制御するための入力モードをサポートしています。2 つの PWM 入力は、極性と駆動制御として構成できます。外部 MOSFET ゲート ドライバ保護回路には、チャージ ポンプ監視、短絡保護（VDSフォルト監視）、開放負荷検出（VGSフォルト監視）が含まれます。

ハーフ ブリッジ ドライバは、SPI レジスタまたは PWM ピンの PWM1 およびIPROPI/PWM2 によって制御できます。ハーフ ブリッジには、ITRIP と呼ばれる電流チョッピング方式が設定可能です。保護回路には、短絡保護、アクティブおよびパッシブなオープン ロード検出が含まれます。

ハイサイド ドライバは、SPI レジスタ、外部 PWM ピン（PWM1）、または専用の PWM ジェネレータによって制御でき、動作中の負荷調整が可能です。すべてのハイサイド ドライバには、LED やランプ モジュール負荷向けのオプション機能として、定電流モードおよび ITRIP 制御が備わっています。1 個のハイサイド ドライバは、ランプまたは LED 負荷のいずれかを駆動するように構成できます。保護回路には、短絡保護や開放負荷検出が搭載されています。

このデバイスは、抵抗性発熱体用の外付け MOSFET ドライバも備えています。ヒータ MOSFETドライバは、SPI レジスタまたは PWM ピン（PWM1）で制御でき、短絡および負荷開放検出の両方の機能を備えています。

また、エレクトロクロミック（EC）ミラー ドライバもあります。ECドライバは、SPI レジスタでのみ制御されます。EC 駆動の場合、ドライバ制御ループは EC 電圧を 6 ビットの目標電圧にレギュレートします。EC 素子を放電したり、目標電圧を変更したりするために、EC 素子を放電する内蔵ローサイド MOSFET が 2 つの放電モード、PWM 放電と高速放電オプションのいずれかで用意されています。ECドライバ保護には、LS 過電流および開放負荷検出が含まれます。

IPROPI（IPROPI/PWM2）ピンは、電流センス機能付きのあらゆる内蔵ドライバから電流センスを比例して供給できる多目的出力ピンまたは入力 PWM ピン（PWM）です。IPROPI は、PVDD モータ電源モニタや内部温度クラスタ モニタとして出力するように設定できるほか、内蔵ハーフブリッジ用の第 2 PWM 入力オプションとしても設定できます。