CSD22205L
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.2mm x 1.2mm のシングル LGA、9.9mΩ、–8V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD22205L
- 低い抵抗
- 1.2mm × 1.2mm の小さな占有面積
- 薄型、高さ 0.36mm
- 鉛不使用
- ゲート・ソース電圧クランプ
- ゲート ESD 保護
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
この –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm LGA (Land Grid Array) の NexFET™ デバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。ランド・グリッド・アレイ (LGA) パッケージはシリコン・チップ・スケール・パッケージで、ハンダ・ボールの代わりに金属のパッドを使用しています。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD22205L –8V P チャネル NexFET™ パワー MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022/04/14 |
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025/11/18 | |
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| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025/05/08 | |
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| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |||
| 設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 |
設計と開発
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サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YMG) | 4 | Ultra Librarian |
購入と品質
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