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CSD25484F4

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 1mm のシングル LGA、109mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJJ) 3 0.6 mm² (1 mm × 0.6 mm)
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低いスレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.2mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低いスレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.2mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 80mΩ、–20V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

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この 80mΩ、–20V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

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技術資料

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* データシート CSD25484F4 –20V P チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022/04/12
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025/11/18
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025/11/07
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025/05/08
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07
技術記事 A power MOSFET that boldly goes where no one has gone before PDF | HTML 2015/09/24

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネルの評価基板

FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD25484F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM154A.ZIP (3 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJJ) 3 Ultra Librarian

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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