DRV3201-Q1
- 車載アプリケーションに対応
- AEC-Q100テスト・ガイドで以下の結果
- デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度 –40℃~125°C
- デバイスHBM ESD分類レベル2
- デバイスCDM ESD分類レベルC3
- モーター制御用の三相ブリッジ・ドライバ
- 6個の独立したNチャネル・パワーMOSFETを駆動、最大250nCのゲート電荷
- プログラミング可能な140mA~1Aのゲート電流ドライブ(ソース/シンク)により、出力スロープの調整が容易
- すべてのFETドライバ・ピンで-7V~40Vに対応し、誘導性アンダーシュートおよびオーバーシュートに対処
- 各パワーMOSFETで独立した制御入力
- 最高30kHzのPWM周波数
- 100%デューティ・サイクルでの動作をサポート
- 動作電圧: 4.75~30V
- ゲート・ドライバの電圧生成用に内蔵された昇圧コンバータによる適切な低電源電圧動作
- 最小3Vで機能するロジック
- VDS監視および可変検出レベルによる短絡保護
- 2つの高精度電流センス・アンプを内蔵し、2つのゲイン・プログラミング可能な第2段を備えることにより、低負荷電流動作で高分解能を実現
- 過電圧および低電圧保護
- プログラミング可能なデッドタイムによる貫通電流保護
- 3つのリアルタイム位相コンパレータ
- 過熱警告およびシャットダウン
- SPIインターフェイスによる高度な障害検出および処理
- スリープ・モード機能
- リセットおよびイネーブル機能
- パッケージ: 64ピンHTQFP PowerPAD™
このブリッジ・ドライバは、安全関連アプリケーションを含む、車載用の三相ブラシレスDCモーター制御向けに開発されたものです。このデバイスには、標準レベルのNチャネルMOSFETトランジスタ専用のドライバが6つ搭載されています。ドライバ能力は、250nCというゲート電荷を処理するように設計されており、このドライバのソース/シンク電流はプログラミング可能であることから、出力スロープの調整が容易です。また、高度な診断機能や保護機能、およびSPIインターフェイスを介した監視機能を備えています。FETを内蔵した昇圧コンバータによってオーバードライブ電圧を提供し、最小4.75Vの低いバッテリ電圧に対しても電源段の完全な制御が可能です。
詳細
詳細なデータシートと安全性マニュアルは、ご請求に応じて入手できます。 ご請求。
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比較対象デバイスと類似の機能
技術資料
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5 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | DRV3201-Q1三相モーター・ドライバIC、オートモーティブ・セーフティ・アプリケーション用 データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2017年 9月 26日 |
アプリケーション・ノート | DRV3201 Current Sense Amplifier | 2016年 2月 19日 | ||||
アプリケーション・ノート | DRV3201 Boost Converter | 2015年 11月 2日 | ||||
その他の資料 | TI's new Hercules™ TMS570 ARM® | 2015年 8月 10日 | ||||
EVM ユーザー ガイド (英語) | DRV3201EVM User's Guide (Rev. A) | 2013年 8月 23日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価基板 (EVM) 向けの GUI
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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HTQFP (PAP) | 64 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点