ISO7721-Q1

アクティブ

車載向け、信頼性の高い EMC 特性、デュアルチャネル、1/1、強化絶縁型デジタル・アイソレータ

製品詳細

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーション向けに認定済み
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全対応
  • 100Mbps のデータ レート
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 1.5kVRMS の動作電圧で 30 年を超える予測寿命
    • 最高 5000VRMS の絶縁定格
    • 最高 12.8kV のサージ耐量
    • CMTI:±100kV/µs (標準値)
  • 広い電源電圧範囲:2.25V~5.5V
  • 2.25V / 5.5V レベル変換
  • デフォルト出力が High (ISO772x) と Low (ISO772xF) のオプション
  • 低消費電力:1Mbps でチャネルごとに標準値 1.7mA
  • 小さい伝搬遅延時間:11ns (標準値)
  • 堅牢な電磁気互換性 (EMC)
    • システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
    • 絶縁バリアの両側で ±8kV の IEC 61000-4-2 接触放電保護
    • 低い放射
  • ワイド SOIC (DW-16、DWV-8) およびナロー SOIC (D-8) パッケージ オプション
  • 安全関連認証
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1、GB 4943.1 認定
  • 車載アプリケーション向けに認定済み
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全対応
  • 100Mbps のデータ レート
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 1.5kVRMS の動作電圧で 30 年を超える予測寿命
    • 最高 5000VRMS の絶縁定格
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    • CMTI:±100kV/µs (標準値)
  • 広い電源電圧範囲:2.25V~5.5V
  • 2.25V / 5.5V レベル変換
  • デフォルト出力が High (ISO772x) と Low (ISO772xF) のオプション
  • 低消費電力:1Mbps でチャネルごとに標準値 1.7mA
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  • 堅牢な電磁気互換性 (EMC)
    • システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
    • 絶縁バリアの両側で ±8kV の IEC 61000-4-2 接触放電保護
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  • ワイド SOIC (DW-16、DWV-8) およびナロー SOIC (D-8) パッケージ オプション
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    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1、GB 4943.1 認定

ISO772x-Q1 デバイスは、高性能のデュアル チャネル デジタル アイソレータであり、UL 1577 準拠で 5000VRMS (DW および DWV パッケージ) および 3000VRMS (D パッケージ) の絶縁定格を備えています。このファミリには、VDE、CSA、TUV、CQC に準拠した強化絶縁定格を持つデバイスが含まれています。

ISO772x-Q1 デバイスは電磁気耐性が高く、放射が低く、低消費電力を実現し、CMOS または LVCMOS デジタル I/O が絶縁されています。それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二重の容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアによって分離されています。ISO7720-Q1 デバイスでは 2 つのチャネルが同じ方向で、ISO7721-Q1 デバイスでは 2 つのチャネルが逆方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。

これらのデバイスを絶縁電源と組み合わせて使用することで、CAN、LIN などのデータ バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISO772x-Q1 デバイスは電磁気互換性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。ISO772x-Q1 ファミリのデバイスは、幅広の 16 ピン SOIC (DW)、幅広の 8 ピン SOIC (DWV)、および細型の 8 ピン SOIC (D) のパッケージで供給されます。

ISO772x-Q1 デバイスは、高性能のデュアル チャネル デジタル アイソレータであり、UL 1577 準拠で 5000VRMS (DW および DWV パッケージ) および 3000VRMS (D パッケージ) の絶縁定格を備えています。このファミリには、VDE、CSA、TUV、CQC に準拠した強化絶縁定格を持つデバイスが含まれています。

ISO772x-Q1 デバイスは電磁気耐性が高く、放射が低く、低消費電力を実現し、CMOS または LVCMOS デジタル I/O が絶縁されています。それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二重の容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアによって分離されています。ISO7720-Q1 デバイスでは 2 つのチャネルが同じ方向で、ISO7721-Q1 デバイスでは 2 つのチャネルが逆方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。

これらのデバイスを絶縁電源と組み合わせて使用することで、CAN、LIN などのデータ バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISO772x-Q1 デバイスは電磁気互換性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。ISO772x-Q1 ファミリのデバイスは、幅広の 16 ピン SOIC (DW)、幅広の 8 ピン SOIC (DWV)、および細型の 8 ピン SOIC (D) のパッケージで供給されます。

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技術資料

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設計および開発

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DIGI-ISO-EVM — ユニバーサル・デジタル・アイソレータ評価モジュール

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ISO7721 IBIS Model (Rev. B)

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シミュレーション・モデル

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リファレンス・デザイン

TIDA-01605 — 2 レベルのターンオフ保護機能搭載、車載、デュアルチャネル SiC MOSFET ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、SiC MOSFET をハーフ・ブリッジ構成で駆動する、車載認定済みの絶縁型ゲート・ドライバ・ソリューションです。このデザインは、デュアル・チャネルの絶縁型ゲート・ドライバのそれぞれに電力を供給する 2 個のプッシュプル・バイアス電源を搭載しており、各電源は +15V と -4V の出力電圧で 1W の出力電力を供給します。ゲート・ドライバは、4A のソース電流と 6A のピーク・シンク電流に対応できます。このドライバは強化絶縁型であり、8kV ピークと 5.7kV RMS の絶縁電圧に耐えるほか、100V/ns を上回る (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 8 オプションの表示
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートが活用可能

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