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TPS2105-EP

アクティブ

2.7-5.5V デュアル入力/シングル出力 MOSFET、0.5A メイン/0.1A 補助入力、アクト‐ハイ イネーブル

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TPS2116 アクティブ 1.6V ～ 5.5V、40mΩ、2.5A、低静止電流 (IQ)、優先順位付きパワー マルチプレクサ Higher output current (2.5A), wider voltage range (1.6V to 5.5V), and smaller operating temperature range (-40°C to 105°C)

TPS2105-EP

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製品詳細

Number of input channels 2 IN1, IN2 input voltage (max) (V) 5.5 IN1, IN2 input voltage (min) (V) 2.7 IN1 output current (max) (A) 0.5 IN2 output current (max) (A) 0.1 Quiescent current (Iq) (µA) 0.75 Imax (A) 0.5 Rating HiRel Enhanced Product Features Reverse current blocking, Thermal shutdown, Under voltage lock out IN1 rDS(on) (typ) (mΩ) 250 IN2 rDS(on) (typ) (mΩ) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 FET Internal Device type Power muxes
Number of input channels 2 IN1, IN2 input voltage (max) (V) 5.5 IN1, IN2 input voltage (min) (V) 2.7 IN1 output current (max) (A) 0.5 IN2 output current (max) (A) 0.1 Quiescent current (Iq) (µA) 0.75 Imax (A) 0.5 Rating HiRel Enhanced Product Features Reverse current blocking, Thermal shutdown, Under voltage lock out IN1 rDS(on) (typ) (mΩ) 250 IN2 rDS(on) (typ) (mΩ) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 FET Internal Device type Power muxes
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With
    No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes)
  • IN1: 250-mΩ, 500-mA N-Channel; 18-µA Supply Current
  • IN2: 1.3-mΩ, 100-mA P-Channel; 0.75-µA Supply
    Current (VAUX Mode)
  • Advanced Switch Control Logic
  • CMOS and TTL Compatible Enable Input
  • Controlled Rise, Fall, and Transition Times
  • 2.7-V to 5.5-V Operating Range
  • SOT-23-5 Package
  • 2-kV Human Body Model, 750-V Charged Device Model,
    200-V Machine-Model ESD Protection
  • Supports Defense, Aerospace, and Medical Applications
    • Controlled Baseline
    • One Assembly and Test Site
    • One Fabrication Site
    • Available in Military (–55°C to 125°C)
      Temperature Range
    • Extended Product Life Cycle
    • Extended Product-Change Notification
    • Product Traceability
  • Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With
    No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes)
  • IN1: 250-mΩ, 500-mA N-Channel; 18-µA Supply Current
  • IN2: 1.3-mΩ, 100-mA P-Channel; 0.75-µA Supply
    Current (VAUX Mode)
  • Advanced Switch Control Logic
  • CMOS and TTL Compatible Enable Input
  • Controlled Rise, Fall, and Transition Times
  • 2.7-V to 5.5-V Operating Range
  • SOT-23-5 Package
  • 2-kV Human Body Model, 750-V Charged Device Model,
    200-V Machine-Model ESD Protection
  • Supports Defense, Aerospace, and Medical Applications
    • Controlled Baseline
    • One Assembly and Test Site
    • One Fabrication Site
    • Available in Military (–55°C to 125°C)
      Temperature Range
    • Extended Product Life Cycle
    • Extended Product-Change Notification
    • Product Traceability

The TPS2105 is a dual-input, single-output power switch designed to provide uninterrupted output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one N-channel (250 mΩ) and one P-channel (1.3-Ω) MOSFET with a single output. The P-channel MOSFET (IN2) is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The N-channel MOSFET (IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low on-resistance makes the N-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation and system voltage drops are critical. When using the P-channel MOSFET, quiescent current is reduced to 0.75 µA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2105 do not have the parasitic diodes, typically found in discrete MOSFETs, thereby preventing back-flow current when the switch is off.

The TPS2105 is a dual-input, single-output power switch designed to provide uninterrupted output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one N-channel (250 mΩ) and one P-channel (1.3-Ω) MOSFET with a single output. The P-channel MOSFET (IN2) is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The N-channel MOSFET (IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low on-resistance makes the N-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation and system voltage drops are critical. When using the P-channel MOSFET, quiescent current is reduced to 0.75 µA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2105 do not have the parasitic diodes, typically found in discrete MOSFETs, thereby preventing back-flow current when the switch is off.
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* データシート TPS2105-EP VAUX Power-Distribution Switch データシート PDF | HTML 2014年 7月 7日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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