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UCC21738-Q1

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車載、SiC/IGBT 向け、短絡のアクティブ保護機能搭載、10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記の内容で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI:150V/ns 以上
  • 高速過電流保護、270ns の応答時間
  • 外部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 900mA ソフト・ターンオフ
  • システム・フォルト時にパワー・スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディスエーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • VDD の UVLO は 12V (RDY がパワー・グッドになる)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス / 部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:-40℃~150℃
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記の内容で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI:150V/ns 以上
  • 高速過電流保護、270ns の応答時間
  • 外部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 900mA ソフト・ターンオフ
  • システム・フォルト時にパワー・スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディスエーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • VDD の UVLO は 12V (RDY がパワー・グッドになる)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス / 部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:-40℃~150℃

UCC21738-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 本デバイスは最大±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kV RMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21738-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。

UCC21738-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 本デバイスは最大±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kV RMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21738-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。

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技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
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* データシート UCC21738-Q1 アクティブ保護機能と高 CMTI 搭載、SiC/IGBT 向け、車載用、10A ソース / シンク、強化絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2023年 9月 8日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページを表示してください。

評価ボード

UCC21732QDWEVM-025 — UCC21732-Q1 車載シングルチャネル絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバの評価モジュール

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ユーザー・ガイド: PDF
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートが活用可能

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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