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UCC21222

활성

비활성화 핀, 프로그래머블 데드 타임 및 8V UVLO를 지원하는 3.0kVrms 4A/6A 2채널 절연 게이트 드라이버

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신규 UCC21330 활성 3kVRMS 4A/6A two-channel isolated gate driver with enable logic and programmable deadtime Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • Resistor-programmable dead time
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • 3V to 5.5V input VCCI range
  • Up to 18V VDD output drive supply
    • 8V VDD UVLO
  • Switching parameters:
    • 28ns typical propagation delay
    • 10ns minimum pulse width
    • 5ns maximum delay matching
    • 5.5ns maximum pulse-width distortion
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • Integrated deglitch filter
  • I/Os withstand –2V for 200ns
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 100V/ns
  • Isolation barrier life >40 Years
  • Surge immunity up to 7800VPK
  • Narrow body SOIC-16 (D) package
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN V VDE V 0884-11:2017-01 and DIN EN 61010-1
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CSA certification per IEC 60950-1, IEC 62368-1 and IEC 61010-1 end equipment standards
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
  • Create a Custom Design Using the UCC21222 With the WEBENCH® Power Designer
  • Resistor-programmable dead time
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • 3V to 5.5V input VCCI range
  • Up to 18V VDD output drive supply
    • 8V VDD UVLO
  • Switching parameters:
    • 28ns typical propagation delay
    • 10ns minimum pulse width
    • 5ns maximum delay matching
    • 5.5ns maximum pulse-width distortion
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • Integrated deglitch filter
  • I/Os withstand –2V for 200ns
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 100V/ns
  • Isolation barrier life >40 Years
  • Surge immunity up to 7800VPK
  • Narrow body SOIC-16 (D) package
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN V VDE V 0884-11:2017-01 and DIN EN 61010-1
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CSA certification per IEC 60950-1, IEC 62368-1 and IEC 61010-1 end equipment standards
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
  • Create a Custom Design Using the UCC21222 With the WEBENCH® Power Designer

The UCC21222 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. A 5ns delay matching performance allows two outputs to be paralleled, doubling the drive strength for heavy load conditions without risk of internal shoot-through.

The input side is isolated from the two output drivers by a 3.0kVRMS isolation barrier, with a minimum of 100V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Resistor programmable dead time gives the capability to adjust dead time for system constraints to improve efficiency and prevent output overlap. Other protection features include a disable feature to shut down both outputs simultaneously when DIS is set high, an integrated deglitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.

The UCC21222 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. A 5ns delay matching performance allows two outputs to be paralleled, doubling the drive strength for heavy load conditions without risk of internal shoot-through.

The input side is isolated from the two output drivers by a 3.0kVRMS isolation barrier, with a minimum of 100V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Resistor programmable dead time gives the capability to adjust dead time for system constraints to improve efficiency and prevent output overlap. Other protection features include a disable feature to shut down both outputs simultaneously when DIS is set high, an integrated deglitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.
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기술 문서

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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC21222 4A, 6A, 3.0kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with Dead Time datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024/02/05
Certificate VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) 2024/01/31
Certificate UCC21220 CQC Certificate of Product Certification 2023/08/16
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16
Certificate FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 2021/10/26
Test report Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 2020/04/24
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019/07/22
User guide Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019/04/25
Application brief How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 2019/03/06
White paper Impact of an isolated gate driver (Rev. A) 2019/02/20
Application note Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 2018/07/19
White paper Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 2018/06/06
Application note Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 2018/06/06
Technical article Boosting efficiency for your solar inverter designs PDF | HTML 2018/05/24

설계 및 개발

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평가 보드

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A, 6A 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC21220EVM-009 is designed for evaluating UCC21220, which is a 3.0-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 4.0-A source and 6.0-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없습니다
시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
다운로드
계산 툴

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC21220 — 비활성화 핀, MOSFET 및 GaNFET용 8V UVLO를 지원하는 3.0kVrms, 4A/6A 유얼 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21222 — 비활성화 핀, 프로그래머블 데드 타임 및 8V UVLO를 지원하는 3.0kVrms 4A/6A 2채널 절연 게이트 드라이버 UCC21520 — DW 패키지에서 듀얼 입력, 비활성 핀, 8V UVLO를 지원하는 5.7kVrms, 4A/6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21521 — 듀얼 입력, 활성화, 8V UVLO 및 LGA 패키지를 지원하는 5.7kVrms, 4A/6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
레퍼런스 디자인

PMP41006 — C2000™과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1kW 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 C2000™ F28004x 마이크로컨트롤러를 탑재한 하프브릿지 LLC 스테이지에서의 일종의 전류 모드 제어 방식인 하이브리드 히스테리시스 제어(HHHC) 방식을 보여줍니다. 이 하드웨어는 1kW, 80-Plus 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC 레퍼런스 디자인인 TIDA-010062를 기반으로 합니다. 하이브리드 이력 제어를 위해 별도의 센서 카드가 추가되어 공진 커패시터의 전압을 다시 생성합니다. 이 HHC LLC 스테이지는 단일 루프 전압 모드 제어 방식(VMC)에 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-010203 — C2000 및 GaN을 지원하는 4kW 단상 토템 폴 PFC 레퍼런스 디자인

This reference design is a 4-kW CCM totem-pole PFC with F280049/F280025 control card and LMG342x EVM board. This design demos a robust PFC solution, which avoids isolated current sense by putting the controller's ground in the middle of a MOSFET leg. Benefitting from non-isolation, AC current (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

PMP41043 — C2000과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1.6kW 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 C2000™ F28004x 마이크로컨트롤러를 탑재한 하프브릿지 LLC 스테이지에서의 일종의 전류 모드 제어 방식인 하이브리드 히스테리시스 제어(HHHC) 방식을 보여줍니다. 이 하드웨어는 1kW, 80-Plus 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC 레퍼런스 디자인인 TIDA-010062를 기반으로 합니다. 하이브리드 이력 제어를 위해 별도의 센서 카드가 추가되어 공진 커패시터의 전압을 다시 생성합니다.

이 HHC LLC 스테이지는 단일 루프 전압 모드 제어(VMC) 방식에 (...)

Test report: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40500 — 54Vdc 입력, 12V 42A 출력 하프 브리지 레퍼런스 설계

이 12V, 42A 출력 하프 브리지 레퍼런스 설계는 유선 네트워크 캠퍼스 및 브랜치 스위치에서 버스 컨버터를 위한 것입니다. 이 설계는 높은 효율 및 다양한 결함(과전류 및 단락) 보호 기능을 제공합니다. 이 설계는 3 kVRMS 기본 및 기능 절연 게이트 드라이버 UCC21220D, UCC21220AD, UCC21222D 및 5.7kRMS 강화 절연 게이트 드라이버 UCC21540D, UCC21540DWK 및 UCC21541DW를 사용한 효율성 비교를 제공합니다.
Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 다운로드
SOIC (D) 16 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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