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UCC21222

활성

Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

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UCC21330 활성 Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V, VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2022

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V, VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2022

The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 UCC21222 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024. 11. 11
* 사용 설명서 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019. 4. 25
인증서 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026. 6. 11
인증서 UCC21220 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023. 8. 16
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021. 12. 16
인증서 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 2021. 10. 26
테스트 보고서 Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 2020. 4. 24
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
인증서 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019. 7. 22
Application brief How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 2019. 3. 6
백서 Impact of an isolated gate driver (Rev. A) 2019. 2. 20
애플리케이션 노트 Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 2018. 7. 19
애플리케이션 노트 Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 2018. 6. 6
백서 Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 2018. 6. 6
기술 문서 Boosting efficiency for your solar inverter designs PDF | HTML 2018. 5. 24

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A, 6A 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC21220EVM-009는 4.0A 소스, 6.0A 싱크 피크 전류 기능을 지원하는 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21220을 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 데 사용할 수 있습니다. EVM은 드라이버 IC 구성 요소 선택 가이드로 사용할 수도 있습니다. EVM을 사용하여 게이트 드라이버 성능에 대한 PCB 레이아웃의 영향을 확인할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP40500 — 54VDC 입력, 12V 42A 출력 하프 브리지 레퍼런스 설계

이 12V, 42A 출력 하프 브리지 레퍼런스 설계는 유선 네트워크 캠퍼스 및 브랜치 스위치에서 버스 컨버터를 위한 것입니다. 이 설계는 높은 효율 및 다양한 결함(과전류 및 단락) 보호 기능을 제공합니다. 이 설계는 3kVRMS 기본 및 기능 절연 게이트 드라이버 UCC21220D, UCC21220AD, UCC21222D 및 5.7kRMS 강화 절연 게이트 드라이버 UCC21540D, UCC21540DWK 및 UCC21541DW를 사용한 효율성 비교를 제공합니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP41006 — C2000™과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1kW 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 C2000™ F28004x 마이크로컨트롤러를 탑재한 하프브릿지 LLC 스테이지에서의 일종의 전류 모드 제어 방식인 하이브리드 히스테리시스 제어(HHHC) 방식을 보여줍니다. 이 하드웨어는 1kW, 80-Plus 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC 레퍼런스 디자인인 TIDA-010062를 기반으로 합니다. 하이브리드 이력 제어를 위해 별도의 센서 카드가 추가되어 공진 커패시터의 전압을 다시 생성합니다. 이 HHC LLC 스테이지는 단일 루프 전압 모드 제어 방식(VMC)에 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP41043 — C2000과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1.6kW 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 C2000™ F28004x 마이크로컨트롤러를 탑재한 하프브릿지 LLC 스테이지에서의 일종의 전류 모드 제어 방식인 하이브리드 히스테리시스 제어(HHHC) 방식을 보여줍니다. 이 하드웨어는 1kW, 80-Plus 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC 레퍼런스 디자인인 TIDA-010062를 기반으로 합니다. 하이브리드 이력 제어를 위해 별도의 센서 카드가 추가되어 공진 커패시터의 전압을 다시 생성합니다.

이 HHC LLC 스테이지는 단일 루프 전압 모드 제어(VMC) 방식에 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-010203 — C2000 및 GaN을 지원하는 4kW 단상 토템 폴 PFC 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 설계는 F280049/F280025 제어 카드 및 LMG342x EVM 보드를 지원하는 4kW CCM 토템 폴 PFC입니다. 이 설계는 컨트롤러의 접지를 MOSFET 레그 중간에 배치하여 절연 전류 센스를 방지하는 견고한 PFC 솔루션을 보여줍니다. 비절연의 이점을 제공하는 AC 전류 센스는 고속 증폭기 OPA607을 통해 구현하여 안정적인 과전류 방지를 실현하는 데 도움이 됩니다. 이 설계에서는 효율성, 열 이미지, AC 강하, 조명 서지 및 EMI CE가 완전히 검증되었습니다. 테스트 데이터가 완비된 이 레퍼런스 (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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