首頁 電源管理 電源保護開關與控制器 理想二極體與 ORing 控制器
首頁
電源管理
電源保護開關與控制器
理想二極體與 ORing 控制器

LM74670-Q1

現行

具有 70uA 閘極驅動的 0.48-V 至 42-V、零 IQ 汽車理想二極體整流器控制器

立即訂購
產品規格表

LM74670-Q1

現行
產品規格表 立即訂購

產品詳細資料

Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 0.48 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model VGS (max) (V) 2.5 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 0.48 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model VGS (max) (V) 2.5 Product type Ideal diode controller
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Peak Input AC Voltage: 42 V
  • Zero IQ
  • Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
  • Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
  • Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Peak Input AC Voltage: 42 V
  • Zero IQ
  • Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
  • Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
  • Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency

The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.

The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.

The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.

The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.

filter 尋找其它 理想二極體與 ORing 控制器
下載 觀看有字幕稿的影片 影片

您可能會感興趣的類似產品

open-in-new 比較替代產品
引腳對引腳且具備與所比較裝置相同的功能
LM74610-Q1 現行 0.48-V 至 42-V、零 IQ 汽車理想二極體控制器 Same functionality and size but with 10-uA gate drive

技術文件

star =TI 所選的此產品重要文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件，然後再試一次。
檢視所有 2
重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet LM74670-Q1 Zero IQ Smart Diode Rectifier Controller datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2015年 10月 27日
E-book 11 Ways to Protect Your Power Path 2019年 7月 3日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

LM74670-SQEVM — 用於進行反向極性保護的智慧二極體控制器評估模組

LM74670-SQEVM 評估模組展示反極性保護，以取代蕭特基二極體與 P 通道 MOSFET。在此反極性保護解決方案中，使用 LM74670 智慧型二極體控制器為 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供閘極驅動。LM74670-SQEVM 在與電源供應器串聯連接時，會模擬理想二極體特性。當在輸入端感測到負電壓時，LM74670 會拉低 MOSFET 閘極並將連接的負載與電源供應器隔離。TVS 電壓箝位二極體 D1_1 與 D1_2 使 LM74670-SQEVM 可安全進行 ISO7637 暫態脈衝測試。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
模擬型號

LM74670-Q1 TINA-TI Transient Reference Design

SNOM665.TSC (597 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
模擬型號

LM74670-Q1 TINA-TI Transient Spice Model

SNOM664.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
模擬型號

LM74670-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

SNOM561A.ZIP (55 KB) - PSpice Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 設計與模擬工具

PSpice® for TI 是有助於評估類比電路功能的設計和模擬環境。這款全功能設計和模擬套件使用 Cadence® 的類比分析引擎。PSpice for TI 包括業界最大的模型庫之一，涵蓋我們的類比和電源產品組合，以及特定類比行為模型，且使用無需支付費用。

PSpice for TI 設計和模擬環境可讓您使用其內建函式庫來模擬複雜的混合訊號設計。在進行佈局和製造之前，建立完整的終端設備設計和解決方案原型，進而縮短上市時間並降低開發成本。 

在 PSpice for TI 設計與模擬工具中，您可以搜尋 TI (...)
要求
參考設計

TIDA-00858 — 新型高效率全橋式整流器參考設計

TIDA-00858 採用高效率的全橋整流器設計。此參考設計以四個 N 通道 MOSFET 取代二極體，並結合 LM74670-Q1 智慧型二極體控制器，構成全橋整流器配置。LM74670-Q1 是二極體損耗的有效零 IQ 替代品。此設計可在 AC 輸入電壓高達 45V 的情況下產生整流 DC 電壓，且二極體正向壓降為零。與肖特基二極體整流器相比，它能夠處理 300Hz 頻率的 AC 輸入和高達 100A 的輸出電流，且散熱要求更低。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片