JAJSJK8A April   2025  – October 2025 THS3470

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性 ±VS = ±30V
    6. 5.6 電気的特性 ±VS = ±20V
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 出力電流制限
      2. 6.3.2 出力電流有効化
      3. 6.3.3 過熱フラグ
      4. 6.3.4 出力電流フラグ
      5. 6.3.5 出力電流の監視
      6. 6.3.6 ダイ温度監視
      7. 6.3.7 外部補償
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 電力モード
      2. 6.4.2 帰還抵抗の選択
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 高電圧、高精度複合アンプ
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 120V ブートストラップ アンプ
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 アプリケーション特性の波形
    3. 7.3 短絡保護
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 熱に関する注意事項
        1. 7.5.1.1 上面冷却の利点
        2. 7.5.1.2 THS3470 の安全動作領域
      2. 7.5.2 レイアウトのガイドライン
      3. 7.5.3 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 10.1 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • REB|42
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.7 代表的特性

TA ≅ 25°C、AV = 10V/V、RF = 2kΩ、RS = 5Ω、および VS = 60V (特に記述のない限り)

THS3470 小信号帯域幅と容量性負荷との関係
VOUT = 2 VPP
図 5-1 小信号帯域幅と容量性負荷との関係
THS3470 小信号帯域幅と温度との関係
AV = 2V/V、CLOAD = 1nF、VOUT = 2VPP
図 5-3 小信号帯域幅と温度との関係
THS3470 小信号帯域幅とゲインとの関係
AV = 2V/V、CLOAD = 1nF、VOUT = 2VPP
図 5-5 小信号帯域幅とゲインとの関係
THS3470 閉ループ出力インピーダンスと周波数との関係
RS = 0Ω、CLOAD = オープン
図 5-7 閉ループ出力インピーダンスと周波数との関係
THS3470 開ループトランスインピーダンスと周波数との関係
C LOAD = オープン
図 5-9 開ループトランスインピーダンスと周波数との関係
THS3470 大信号帯域幅と周波数との関係
CLOAD = 1nF、VOUT = 50VPP
図 5-11 大信号帯域幅と周波数との関係
THS3470 大信号応答とゲインとの関係
CLOAD = 1nF
図 5-13 大信号応答とゲインとの関係
THS3470 スルー レートと容量性負荷との関係
VOUT = 50 VPP
図 5-15 スルー レートと容量性負荷との関係
THS3470 大信号ステップ応答と温度との関係
CLOAD = 1nF、VOUT = 50VPP
図 5-17 大信号ステップ応答と温度との関係
THS3470 大信号ステップ応答とゲインとの関係
CLOAD = 1nF
図 5-19 大信号ステップ応答とゲインとの関係
THS3470 大信号のセトリング タイム
CLOAD = 1nF、VOUT = 50VPP
図 5-21 大信号のセトリング タイム
THS3470 出力イネーブル/ディスエーブル タイム
CLOAD = 1nF、VOUT = 50VPP、fIN = 100kHz
図 5-23 出力イネーブル/ディスエーブル タイム
THS3470 高調波歪みと周波数との関係
CLOAD = 1nF
図 5-25 高調波歪みと周波数との関係
THS3470 高調波歪みと出力電圧との関係
AV = −10V/V、VS = 40V、fin = 100kHz
図 5-27 高調波歪みと出力電圧との関係
THS3470 高調波歪みと出力電圧との関係
AV = -10V/V、VS = 40V、fin = 1MHz
図 5-29 高調波歪みと出力電圧との関係
THS3470 高調波歪みと出力電圧との関係
AV = −10V/V、VS = 40V、fin = 10MHz
図 5-31 高調波歪みと出力電圧との関係
THS3470 出力電圧ヘッドルームと温度との関係
図 5-33 出力電圧ヘッドルームと温度との関係
THS3470 出力ヘッドルームと供給電圧との関係
図 5-35 出力ヘッドルームと供給電圧との関係
THS3470 出力電流誤差ドリフトと ILIMIT 設定との関係
RLOAD = 12.5Ω
図 5-37 出力電流誤差ドリフトと ILIMIT 設定との関係
THS3470 IOUT_MONITOR エラーと出力電流との関係
RLOAD = 12.5Ω
図 5-39 IOUT_MONITOR エラーと出力電流との関係
THS3470 IOUT_MONITOR の応答時間
VOUT = 50VPP、RLOAD = 100Ω、RIOUT_2048 = 5kΩ
図 5-41 IOUT_MONITOR の応答時間
THS3470 入力オフセット電圧と入力同相電圧との関係
VS = 60V
図 5-43 入力オフセット電圧と入力同相電圧との関係
THS3470 入力バイアス電流と入力同相電圧との関係
VS = 60V
図 5-45 入力バイアス電流と入力同相電圧との関係
THS3470 小信号帯域幅と容量性負荷との関係
AV = 2V/V、VOUT = 2VPP
図 5-2 小信号帯域幅と容量性負荷との関係
THS3470 小信号帯域幅と供給電圧との関係
AV = 2V/V、CLOAD = 1nF、VOUT = 2VPP
図 5-4 小信号帯域幅と供給電圧との関係
THS3470 小信号帯域幅と抵抗負荷との関係
AV = 2V/V、RS = 0Ω、CLOAD = オープン、VOUT = 2VPP
図 5-6 小信号帯域幅と抵抗負荷との関係
THS3470 コモンモードおよび電源除去比と周波数の関係
図 5-8 コモンモードおよび電源除去比と周波数の関係
THS3470 大信号帯域幅と容量性負荷との関係
VOUT = 50 VPP
図 5-10 大信号帯域幅と容量性負荷との関係
THS3470 大信号帯域幅と供給電圧との関係
CLOAD = 1nF
図 5-12 大信号帯域幅と供給電圧との関係
THS3470 大信号帯域幅と抵抗負荷との関係
RS = 0Ω、CLOAD = オープ、VOUT = 50VPP
図 5-14 大信号帯域幅と抵抗負荷との関係
THS3470 大信号ステップ応答と容量性負荷との関係
VOUT = 50 VPP
図 5-16 大信号ステップ応答と容量性負荷との関係
THS3470 大信号ステップ応答と供給電圧との関係
CLOAD = 1nF
図 5-18 大信号ステップ応答と供給電圧との関係
THS3470 大信号ステップ応答と抵抗負荷との関係
CLOAD = オープン、VOUT = 50VPP
図 5-20 大信号ステップ応答と抵抗負荷との関係
THS3470 過負荷復帰時間
AV = −10V/V、VOUT = 50VPP
図 5-22 過負荷復帰時間
THS3470 電圧ノイズおよび電流ノイズと周波数との関係
図 5-24 電圧ノイズおよび電流ノイズと周波数との関係
THS3470 高調波歪みと周波数との関係
CLOAD = オープン、AV = 10V/V、RLOAD = 100Ω
図 5-26 高調波歪みと周波数との関係
THS3470 高調波歪みと出力電圧との関係
AV = 10V/V、VS = 60V、fin = 100kHz
図 5-28 高調波歪みと出力電圧との関係
THS3470 高調波歪みと出力電圧との関係
AV = 10V/V、VS = 60V、fin = 1MHz
図 5-30 高調波歪みと出力電圧との関係
THS3470 高調波歪みと出力電圧との関係
AV = 10V/V、VS = 60V、fin = 10MHz
図 5-32 高調波歪みと出力電圧との関係
THS3470 出力ヘッドルームと電流制限との関係
VOUT = 25V (ソース) および −25V (シンク)
図 5-34 出力ヘッドルームと電流制限との関係
THS3470 出力電流制限と ILIMIT 設定との関係
RLOAD = 12.5Ω
図 5-36 出力電流制限と ILIMIT 設定との関係
THS3470 出力電流制限と時間との関係
RLOAD = 25Ω、VOUT = 50VPP、ILIMIT = 900mA、fin = 10kHz
図 5-38 出力電流制限と時間との関係
THS3470 IOUT_MONITOR 温度ドリフトと出力電流との関係
RLOAD = 12.5Ω
図 5-40 IOUT_MONITOR 温度ドリフトと出力電流との関係
THS3470 静止電流と電源電圧との関係
図 5-42 静止電流と電源電圧との関係
THS3470 入力オフセット電圧と出力電圧との関係
VS = 60V
図 5-44 入力オフセット電圧と出力電圧との関係
THS3470 DIE_TEMP 精度と温度との関係
5 個の代表的なユニット
図 5-46 DIE_TEMP 精度と温度との関係