JAJSJK8A April   2025  – October 2025 THS3470

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性 ±VS = ±30V
    6. 5.6 電気的特性 ±VS = ±20V
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 出力電流制限
      2. 6.3.2 出力電流有効化
      3. 6.3.3 過熱フラグ
      4. 6.3.4 出力電流フラグ
      5. 6.3.5 出力電流の監視
      6. 6.3.6 ダイ温度監視
      7. 6.3.7 外部補償
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 電力モード
      2. 6.4.2 帰還抵抗の選択
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 高電圧、高精度複合アンプ
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 120V ブートストラップ アンプ
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 アプリケーション特性の波形
    3. 7.3 短絡保護
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 熱に関する注意事項
        1. 7.5.1.1 上面冷却の利点
        2. 7.5.1.2 THS3470 の安全動作領域
      2. 7.5.2 レイアウトのガイドライン
      3. 7.5.3 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 10.1 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • REB|42
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.5 電気的特性 ±VS = ±30V

TA ≅ 25°C、AV = 10V/V、RF = 2kΩ および RS = 5Ω (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
AC 特性
SSBW 小信号帯域幅
(-3dB)		 VO = 2VPP RL = 100Ω 30 MHz
RS = 5Ω、CL = 1nF 20
LSBW 大信号帯域幅
(-3dB)		 VO = 50VPP、< 1dB ピーキング RL = 100Ω 22 MHz
CL = 1nF (2) 7
SR スルー レート (ピーク) VO = 50VPP ステップ RL = 100Ω 6500 V/μs
CL = 1nF 2600
スルー レート (20%-80%) VO = 50VPP ステップ RL = 100Ω 3500
CL = 1nF 2000
立ち上がりおよび立ち下がり時間 VO = 50V ステップ RL = 100Ω 17 ns
CL = 1nF 22
セトリング タイム 0.1%、VO = 50V ステップまで RL = 100Ω 200 ns
CL = 1nF 375
HD2 2 次高調波歪み VO = 50VPP、RL = 100Ω f = 10MHz -47 dBc
f = 1MHz -80
f = 0.1MHz -91
VO = 50VPP、CL = 1nF f = 1MHz -80
f = 0.1MHz -87
HD3 3 次高調波歪み VO = 50VPP、RL = 100Ω f = 10MHz -43 dBc
f = 1MHz -67
f = 0.1MHz -75
VO = 50VPP、CL = 1nF f = 1MHz -61
f = 0.1MHz -71
en 電圧ノイズ f > 100kHz 1.3 nV/√Hz
in+ 非反転入力参照電流ノイズ f > 100kHz 31 pA/√Hz
in– 反転入力参照電流ノイズ f > 100kHz 20 pA/√Hz
DC 特性
ZOL 開ループ トランスインピーダンス ゲイン VO = ±10V 4.5 5.5 MΩ
ZOL 開ループ トランスインピーダンス ゲイン VO = ±10V、RL = 100Ω 4.1 MΩ
VOS 入力オフセット電圧 ±0.8 ±3.5 mV
入力オフセット電圧ドリフト(1) TJ = –40°C ~ +125°C 5 µV/℃
IB– 反転入力バイアス電流 ±3 ±25 µA
反転入力バイアス電流ドリフト TJ = -40℃ ～ +125℃ 100 nA/℃
IB+ 非反転入力バイアス電流 ±1 ±15 µA
非反転入力バイアス電流ドリフト TJ = –40°C ~ +125°C 70 nA/℃
ZIN+ 非反転入力インピーダンス 900 || 1.5 kΩ || pF
ZIN- 反転入力インピーダンス 17 Ω
入力同相電圧 VEE + 4 VCC - 4 V
入力
CMRR 同相除去比 f = dc、VICM = ±2V 67 dB
f = dc、VICM = ±25V 72
出力
HROUT いずれかの電源に対するヘッドルーム RL = オープン ±4 ±5 V
HROUT いずれかの電源に対するヘッドルーム RL = 100Ω ±4 ±5 V
IOUTLIN リニア出力電流 RL = 5Ω、VO = ±10V、ZOL > 200kΩ、ソースおよびシンク 1 1.35 A
IOUT 最大電流出力 1.5 A
ZOUT DC 出力インピーダンス 閉ループ 0.03 Ω
開ループ出力抵抗 パワーダウン 11 kΩ
電源
IQ 静止時電流 完全バイアス、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 開		 31 32 mA
TJ = –40°C ~ +125°C 31 33
完全バイアス、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 250mA		 29 30
TJ = –40°C ~ +125°C 29 31
完全バイアス、無負荷、
ISNK/ISRC LIMIT = 1A		 33 34
TJ = –40°C ~ +125°C 33 34
パワーダウン、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 開		 14 16
TJ = –40°C ~ +125°C 14 16
PSRR 電源除去比 VS = ±12V から ±30V 76 81 dB
ダイ温度監視
OVTEMP_FLAG ステータス フラグ Low 165 °C
OVTEMP_FLAG ステータス フラグ High 140 °C
TJ_SENSE ダイ温度出力電圧 TJ = 25°C 1.55 V
TJ_SENSE 温度係数 TJ = –40℃ ～ +125℃ 4.8 mV/℃
TJ_SENSE 出力インピーダンス 50 kΩ
出力電流の監視
IOUT_MONITOR の応答時間  中間電源、10kΩ プルアップ (VCC) および 10kΩ プルダウン抵抗 (VEE) を基準とします 20 µs
IOUT_MONITOR 電圧 中間電位を基準とする VMID - 2V VMID + 2V V
IOUT_MONITOR の精度 IOUT = ±200mA 15 %
IOUT = ±1A 30
電流制限管理
出力電流制限 外部から調整可能 200 1500 mA
電流制限の応答時間  1 us
電流制限精度 ILIMIT = ±200mA 5 15 %
ILIMIT = ±1A 5 15
デジタル入力 (P0、P1、ISRC_LIM_EN、ISNK_LIM_EN)
DGND 電圧 VEE VCC - 12 V
デジタル入力ピン電圧 DGND を基準とした場合 0 5.0 V
デジタル入力ピンのロジック スレッショルド DGND に対するロジック High 1.3 1.5 V
DGND に対するロジック Low 0.5 1.1
デジタル入力ピンのバイアス電流 VDGND に対する VIN = 0V TJ = –40°C ~ +125°C -30 -13 30 µA
VDGND に対する VIN = 5V TJ = –40°C ~ +125°C -30 -5 30
デジタル出力 (ISRC_FLAG、ISNK_FLAG、OVTEMP_FLAG)
デジタル出力ピン電圧 DGND を基準とした場合 0 5.0 V
デジタル出力ピン電圧 High DGND を基準とした場合 4.9 4.99 V
デジタル出力ピン電圧 Low DGND を基準とした場合 0.01 0.1 V
ISRC_FLAG 応答時間 5 µs
ISNK_FLAG 応答時間 5 µs
OVTEMP_FLAG 応答時間 5 µs
(1) 電流出力は、エレクトロマイグレーション制限に基づき、実際の性能はシステムの発熱に依存します。
(2) 1nF などの高い容量性負荷値は、大きな出力過渡電流による帯域幅を制限します。