JAJSJK8A April   2025  – October 2025 THS3470

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性 ±VS = ±30V
    6. 5.6 電気的特性 ±VS = ±20V
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 出力電流制限
      2. 6.3.2 出力電流有効化
      3. 6.3.3 過熱フラグ
      4. 6.3.4 出力電流フラグ
      5. 6.3.5 出力電流の監視
      6. 6.3.6 ダイ温度監視
      7. 6.3.7 外部補償
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 電力モード
      2. 6.4.2 帰還抵抗の選択
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 高電圧、高精度複合アンプ
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 120V ブートストラップ アンプ
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 アプリケーション特性の波形
    3. 7.3 短絡保護
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 熱に関する注意事項
        1. 7.5.1.1 上面冷却の利点
        2. 7.5.1.2 THS3470 の安全動作領域
      2. 7.5.2 レイアウトのガイドライン
      3. 7.5.3 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 10.1 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • REB|42
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.6 電気的特性 ±VS = ±20V

TJ ≅ 25°C、AV = –5V/V、RF = 1.21kΩ、RS = 5Ω、および CL = 300pF で中間電源に接続 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
AC 特性
SSBW 小信号帯域幅
(-3dB)		 VO = 2VPP 55 MHz
AV = 2V/V 70
LSBW 大信号帯域幅
(-3dB)		 VO = 20VPP(2) 45 MHz
SR スルー レート (ピーク) VO = 30V ステップ、AV = 2V/V 3500 V/μs
スルー レート (20%-80%) VO = 30V ステップ、AV = 2V/V 3000
立ち上がりおよび立ち下がり時間 VO = 30V ステップ、AV = 2V/V 9 ns
セトリング タイム 0.1%、VO = 10V ステップまで 150 ns
HD2 2 次高調波歪み VO = 20VPP、
AV = –10V/V		 f = 30MHz -43 dBc
f = 1MHz -90
f = 0.1MHz -105
VO = 20VPP、
AV = –10V/V、RL = 25Ω		 f = 30MHz -46
f = 1MHz -95
f = 0.1MHz -91
HD3 3 次高調波歪み VO = 20VPP、
AV = –10V/V		 f = 30MHz -34 dBc
f = 1MHz -79
f = 0.1MHz -86
VO = 20VPP、
AV = –10V/V、RL = 25Ω		 f = 30MHz -33
f = 1MHz -80
f = 0.1MHz -86
en 電圧ノイズ f > 100kHz 1.3 nV/√Hz
in+ 非反転入力参照電流ノイズ f > 100kHz 31 pA/√Hz
in– 反転入力参照電流ノイズ f > 100kHz 20 pA/√Hz
VOS 入力オフセット電圧 ±0.8 ±3.5 mV
入力オフセット電圧ドリフト(1) TJ = –40°C ~ +125°C 5 µV/℃
DC 特性
IB– 反転入力バイアス電流 ±3 ±25 µA
反転入力バイアス電流ドリフト TJ = –40°C ~ +125°C 100 nA/℃
IB+ 非反転入力バイアス電流 ±1 ±15 µA
非反転入力バイアス電流ドリフト TJ = -40℃ ～ +125℃ 70 nA/℃
ZOL 開ループ トランスインピーダンス ゲイン VO = ±10V 5.5 MΩ
入力
ZIN+ 非反転入力インピーダンス 180 || 5 kΩ || pF
ZIN- 反転入力インピーダンス 17 Ω
入力同相電圧 VEE + 4 VCC - 4 V
CMRR 同相除去比 f = dc、VICM = ±2V 67 dB
f = dc、VICM = ±18V 72
出力
HROUT いずれかの電源に対するヘッドルーム RL = オープン ±4 ±5 V
RL = 100Ω ±4 ±5 V
IOUTLIN リニア出力電流 1 1.2 A
IOUT 最大電流出力 1.5 A
ZOUT DC 出力インピーダンス 閉ループ 0.03 Ω
電源
IQ 静止時電流 完全バイアス、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 開		 31 32 mA
TJ = –40°C ~ +125°C 31 33
完全バイアス、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 200mA		 29 30
TJ = –40°C ~ +125°C 29 31
完全バイアス、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 1.5A		 33 34
TJ = –40°C ~ +125°C 33 34
パワーダウン、無負荷、
ISNK/ISRC_LIMIT = 開		 14 16
TJ = –40°C ~ +125°C 14 16
出力電流の監視
IOUT_MONITOR の精度 IOUT = ±200mA 5 %
IOUT = ±1A 15
電流制限管理
電流制限精度 ILIMIT = ±200mA 5 %
ILIMIT = ±1A 5
(1) 電流出力は、エレクトロマイグレーション制限に基づき、実際の性能はシステムの発熱に依存します。
(2) 300pF などの高い容量性負荷値は、大きな出力過渡電流による帯域幅を制限します。