JAJA847 April   2025 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0C1105 , MSPM0C1106 , MSPM0C1106-Q1 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3518 , MSPM0G3518-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0G3519-Q1 , MSPM0H3216 , MSPM0H3216-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1116 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2EMC 規格と EMC 規格
    1. 2.1 EMC
      1. 2.1.1 EMS
      2. 2.1.2 EMI
    2. 2.2 EMC 規格
      1. 2.2.1 EMC 規格のカテゴリ
    3. 2.3 TI の EMC と IC の電気的信頼性
  6. 3EMC 改善ガイドラインの概要
    1. 3.1 PCB 設計ガイドライン
    2. 3.2 ファームウェアのガイドライン
  7. 4MSPM0 の EMC 改善機能
    1. 4.1 感受性保護機能
      1. 4.1.1 POR および BOR
      2. 4.1.2 NMI およびハード故障
      3. 4.1.3 I/O ESD と設定
    2. 4.2 放射削減機能
      1. 4.2.1 クロック ソース
      2. 4.2.2 電力モード
      3. 4.2.3 パッケージ
  8. 5EMS テストの分析
    1. 5.1 根本原因の分析
      1. 5.1.1 恒久的な損傷
      2. 5.1.2 回復可能な不具合
    2. 5.2 デバッグ フロー
  9. 6EMI テストの分析
    1. 6.1 根本原因の分析
      1. 6.1.1 電源ライン
      2. 6.1.2 外部 Vcore
    2. 6.2 デバッグ フロー
  10. 7まとめ
  11. 8参考資料

6.1.2 外部 Vcore

MSPM0 の電源管理ユニット (PMU) は、オンチップの構成可能な低ドロップアウト LDO を使用して、デバイス コアに電力を供給する 1.35V 電源レールを生成します。一般に、コア レギュレータ出力 (VCORE) は CPU、デジタル ペリフェラル、デバイス メモリなどのコア ロジックに電力を供給します。一部の MSPM0 デバイスでは、内部 LDO に、デバイスの VCORE ピンと VSS (グランド) の間に接続される外部コンデンサ (CVCORE) が必要です。一部の MSPM0 デバイスでは、カップリング コンデンサが IC に内蔵されています。

MSPM0G の電源モジュール図 6-4 MSPM0G の電源モジュール

LDO は過渡条件に対して即座に応答できません。遅延は、パス素子を流れる電流が負荷の増加に調整される前に発生します。この遅延時間の間、出力コンデンサは過渡電流全体を供給するよう残されます。このため、出力容量とそれに関連する寄生成分の大きさは、LDO 回路の過渡応答に大きな影響を及ぼします。内部コンデンサの使用方法に比べて、外部コンデンサの使用方法は寄生インダクタンスの影響を受けやすく、高速デジタル回路により生成される電源ノイズの負荷過渡応答に悪影響を及ぼす可能性があります。Vcore の伝導ノイズの例を、図 6-5 に示します。この例では、CVCOREは 0.47μF　で、MSPM0 は 1 つの NOP で動作します。

MSPM0L 上 の Vcore での伝導ノイズ図 6-5 MSPM0L 上 の Vcore での伝導ノイズ

MCU の EMI 性能を向上させるため、寄生インダクタンスの影響を低減するために低 ESR コンデンサを使うことを推奨します。推奨されている 0.47μF コンデンサのほかに、複数のコンデンサを追加しても、目的とする周波数範囲に対応することができます。出力コンデンサが LDO の EMI 性能に及ぼす影響の詳細については、LDOのEMC 測定値およびLDO の負荷過渡応答ナログ設計ジャーナルを参照してください。