11 改訂履歴

Changes from Revision F (November 2013) to Revision G (September 2025)

• ドキュメント全体を通して TMP411D-Q1 デバイスを追加、データシートのタイトルを更新Go
• 最新のテキサス・インスツルメンツおよび業界データシートの標準に合わせて、ドキュメントの外観を更新Go
• 「概要」セクションに「パッケージ情報」表を追加 Go
• 「デバイスの比較」表、「デバイスの命名規則」の図と説明を追加Go
• ドキュメント全体を通して「変換時間」を更新。Go
• ドキュメント全体を通して、平均電流とシャットダウン電流を変更Go
• 「ピン構成および機能」セクションを追加Go
• ピン機能表に「タイプ」列を追加Go
• D+/D- ピンの最大電圧定格を更新。Go
• ピン 4、ピン 6、ピン 7、ピン 8 の最大電圧定格を更新。Go
• V+ ピンの最大電圧定格を更新Go
• TMP411-Q1 の人体モデル (HBM) およびデバイス帯電モデル (CDM) 静電気放電を更新Go
• 「DGK パッケージおよび DDF パッケージの温度情報」セクションを追加Go
• 誤字を修正し、「T_A = 15°C から 85°C、V+= 3.3V」を「リモート温度誤差」から「ローカル温度誤差」に移動Go
• 温度誤差電源感度に「T_DIODE = -40°C から 150°C に」の条件を追加Go
• 「電気的特性」表に新しいチップの「変換時間」を追加Go
• ヒステリシスの標準値を 500mV から 170mV に変更して誤記を訂正。Go
• 「電気的特性」表に新しいチップの「ロジック入力電流」を追加。Go
• 「電気的特性」表に新しいチップの「低出力電圧」を追加Go
• 「電気的特性」表に新しいチップの「高レベル出力リーク電流」を追加。Go
• 誤字を修正し、「ALERT または THERM2 出力 Low シンク電流」に 6mA の最小値を追加Go
• 「電気的特性」表に新しいチップとすべてのテスト条件の「静止電流」を追加Go
• 低電圧誤動作防止の制限を削除。Go
• 「電気的特性」表に新しいチップの「パワーオンリセットのスレッショルド」を追加。Go
• 「電気的特性」表にブラウンアウト検出値を追加Go
• 高速モードの t(SUDAT) を 10ns から 20ns に変更。Go
• 新しいチップの「代表的特性 (TMP411-Q1)」のグラフを追加Go
• 詳細説明セクションに概要を追加Go
• 「概要」セクションの「基本的な接続」図を更新Go
• 機能ブロック図セクションを追加Go
• 機能の説明セクションを追加し、機能情報をこのセクションに移動Go
• C コードとともに「12 ビット Q4 パラメータとビット値」表を追加。Go
• 新しいチップの POR により低電圧誤動作防止電圧が除去されるため、低電圧誤動作防止セクションを更新Go
• デバイスの機能モード セクションを追加Go
• 実際のシリコンの動作に合わせて、「シャットダウン モード (SD)」セクションを説明Go
• ドキュメント全体を通して、「マスタ」を「コントローラ」に、「スレーブ」を「ターゲット」にして用語を変更。Go
• 仕様セクションにタイミング図を追加Go
• 「TMP411-Q1およびTMP411D-Q1デバイスアドレスオプション」表を追加しましたGo
• レジスタ情報セクションをレジスタ マップセクションに変更し、このセクションにレジスタ情報をまとめましたGo
• 新しいチップの POR により低電圧誤動作防止電圧が除去されるため、ステータスレジスタセクションを更新Go
• 「アプリケーション曲線」セクションを追加Go
• 「設計要件」セクションに D+ 波形を追加Go
• 「詳細な設計手順」セクションを更新Go
• 「電源に関する推奨事項」セクションを追加 Go
• レイアウトの考慮事項からレイアウトのガイドラインに変更Go
• 「レイアウト例」セクションを追加Go
• 「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクションおよびサブセクションを追加Go
• メカニカル、パッケージ、および注文情報セクションを追加Go