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DRV8350F

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102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikationen

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DRV8350F

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Produktdetails

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
WQFN (RTV) 32 25 mm² 5 x 5
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Functional Safety Quality-Managed
    • Documentation available to aid IEC 61800-5-2 functional safety system design
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Functional Safety Quality-Managed
    • Documentation available to aid IEC 61800-5-2 functional safety system design
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)

The DRV835xF family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes.

The DRV835xF uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.

The DRV835xF family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes.

The DRV835xF uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

DRV8350H-EVM — DRV8350H-Evaluierungsmodul für dreiphasigen Smart-Gate-Treiber

Das DRV8350H-EVM ist eine dreiphasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, die auf dem DRV8350H-Gate-Treiber für CSD19532Q5B-NexFET™-Power-Blocks basiert. 

Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einen externen, einzelnen Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker, (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8350S-EVM — DRV8350S-Evaluierungsmodul für dreiphasigen Smart-Gate-Treiber

Das DRV8350S-EVM ist eine dreiphasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, die auf dem DRV8350S-Gate-Treiber für CSD19532Q5B-NexFET™-Power-Blocks basiert. 

Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einen externen, einzelnen Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker, (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
BLDC-Treiber
  • DRV8320 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V
  • DRV8320R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler
  • DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern
  • DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke
  • DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern
  • DRV8329-Q1 — Dreiphasiger Gate-Treiber (60 V) für die Automobilindustrie mit einem Strommessverstärker
  • DRV8334 — 3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung
  • DRV8340-Q1 — 12-bis-24-V-Batterie-3-Phasen-Smart-Gate-Treiber
  • DRV8343-Q1 — Intelligenter 3-Phasen-Gate-Treiber, 12- bis 24-V-Batterie, Strom-Shunt-Verstärker, Automobil
  • DRV8350 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V
  • DRV8350F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikationen
  • DRV8350R — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Abwärtsregler
  • DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, Strom-Shunt-Verstärker
  • DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio
  • DRV8353M — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern und erweitertem Te
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