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LMG1020

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Controlador de puerta monocanal de 7 A/5 A con UVLO de 5 V para pulsos de entrada de nanosegundos

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LMG1020

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Detalles del producto

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Propagation delay time (µs) 0.0025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Propagation delay time (µs) 0.0025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Driver configuration Low Side
DSBGA (YFF) 6 1.4000000000000001 mm² 1 x 1.4000000000000001
  • Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs
  • 1 ns Minimum Input Pulse Width
  • Up to 60 MHz Operation
  • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay
  • 400 ps Typical Rise and Fall Time
  • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents
  • 5-V Supply Voltage
  • UVLO and Overtemperature Protection
  • 0.8 mm × 1.2 mm WCSP Package
  • Low-Side, Ultra-Fast Gate Driver for GaN and Silicon FETs
  • 1 ns Minimum Input Pulse Width
  • Up to 60 MHz Operation
  • 2.5 ns Typical, 4.5 ns Maximum Propagation Delay
  • 400 ps Typical Rise and Fall Time
  • 7-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents
  • 5-V Supply Voltage
  • UVLO and Overtemperature Protection
  • 0.8 mm × 1.2 mm WCSP Package

The LMG1020 device is a single, low-side driver designed for driving GaN FETs and logic-level MOSFETs in high-speed applications including LiDAR, time-of-flight, facial recognition, and any power converters involving low side drivers. The design simplicity of the LMG1020 enables extremely fast propagation delays of 2.5 nanoseconds and minimum pulse width of 1 nanosecond. The drive strength is independently adjustable for the pull-up and pull-down edges by connecting external resistors between the gate and OUTH and OUTL, respectively.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and overtemperature protection (OTP) in the event of overload or fault conditions.

0.8-mm × 1.2-mm WCSP package of LMG1020 minimizes gate loop inductance and maximizes power density in high-frequency applications.

The LMG1020 device is a single, low-side driver designed for driving GaN FETs and logic-level MOSFETs in high-speed applications including LiDAR, time-of-flight, facial recognition, and any power converters involving low side drivers. The design simplicity of the LMG1020 enables extremely fast propagation delays of 2.5 nanoseconds and minimum pulse width of 1 nanosecond. The drive strength is independently adjustable for the pull-up and pull-down edges by connecting external resistors between the gate and OUTH and OUTL, respectively.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and overtemperature protection (OTP) in the event of overload or fault conditions.

0.8-mm × 1.2-mm WCSP package of LMG1020 minimizes gate loop inductance and maximizes power density in high-frequency applications.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
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Modelo de simulación

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Design guide: PDF
Esquema: PDF
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DSBGA (YFF) 6 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
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  • REACH
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  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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