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CSD23202W10

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 1mm のシングル WLP、53mΩ、–12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 53 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 66 VGSTH typ (typ) (V) -0.6 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.28 QGS (typ) (nC) 0.55 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 53 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 66 VGSTH typ (typ) (V) -0.6 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.28 QGS (typ) (nC) 0.55 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 mm × 1 mm
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb Free
  • Gate ESD Protection – 3 kV
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 mm × 1 mm
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb Free
  • Gate ESD Protection – 3 kV
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This 12 V, 44 mΩ device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small 1 mm × 1 mm outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

This 12 V, 44 mΩ device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small 1 mm × 1 mm outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

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技術資料

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設計と開発

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サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD23202W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM138B.ZIP (4 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian

購入と品質

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