CSD25211W1015
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 1.5mm のシングル WLP、33mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD25211W1015
- 非常に小さいオン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 1.0mm × 1.5mm の小さな占有面積
- 高さ 0.62mm の低プロファイル
- 鉛フリー
- ゲート・ソース電圧クランプ
- ゲート ESD 保護 (HBM)：3kV
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
デバイスは、可能な限り小さな外形で最低のオン抵抗およびゲート電荷を実現し、非常に薄型で優れた熱特性を持つよう設計されています。
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技術資料
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設計と開発
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サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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| DSBGA (YZC) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
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