ホーム パワー マネージメント MOSFET
ホーム
パワー マネージメント
MOSFET

CSD85302L

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.35mm x 1.35mm のコモン ドレイン LGA、デュアル、24mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

ご注文はこちら
データシート

CSD85302L

アクティブ
データシート ご注文はこちら

製品詳細

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YME) 4 1.7161 mm² (1.31 mm × 1.31 mm)
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
filter その他の MOSFET を検索
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
CSD83325L アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、デュアル LGA、5.9mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET Alternate 12 V versus 20 V, larger and lower resistance

技術資料

結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
9 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET データシート PDF | HTML 2015/11/19
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025/11/18
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025/11/07
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025/05/08
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD85302L TINA-TI Spice Model

SLPM273.ZIP (7 KB) - TINA-TI Spice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD85302L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM271A.ZIP (4 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YME) 4 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ