CSD85302L
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.35mm x 1.35mm のコモン ドレイン LGA 封止、デュアル、24mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD85302L
- Common Drain Configuration
- Low On-Resistance
- Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
- Pb Free and Halogen Free
- RoHS Compliant
- ESD HBM Protection >2.5 kV
This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
技術資料
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9 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET データシート | PDF | HTML | 2015年 11月 19日 | ||
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その他の技術資料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
サポート・ソフトウェア
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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PICOSTAR (YME) | 4 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。