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ISO5452

アクティブ

分割出力対応、STO (セーフ・トルク・オフ)、各種保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1420 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 1420 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1420 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 1420 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 同相過渡耐圧 (CMTI):50kV/µs (最小値)、100kV/µs (標準値) (V CM = 1500V)
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および 5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 10000V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 1420V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定
  • 同相過渡耐圧 (CMTI):50kV/µs (最小値)、100kV/µs (標準値) (V CM = 1500V)
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および 5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 10000V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 1420V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定

ISO5452 デバイスは、5.7kV RMS、IGBT および MOSFET 用の強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V~5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。 2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2µs の間 Low になります。 OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である V EE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。 FLT 出力状況はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、 RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5452 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5452 デバイスは、5.7kV RMS、IGBT および MOSFET 用の強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V~5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。 2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2µs の間 Low になります。 OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である V EE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。 FLT 出力状況はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、 RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5452 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO5452 高 CMTI 2.5A/5A 絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力およびアクティブ保護機能搭載 データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 6月 20日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
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ホワイト・ペーパー Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps PDF | HTML 2023年 8月 31日
証明書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
アプリケーション概要 The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
e-Book(PDF) E-book:産業用ロボット設計に関するエンジニア・ガイド 英語版 2020年 3月 25日
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アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
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Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015年 10月 30日
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EVM ユーザー ガイド (英語) ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日
ホワイト・ペーパー Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
アプリケーション・ノート Shelf-Life Evaluation of Lead-Free Component Finishes 2004年 5月 24日

設計と開発

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評価ボード

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 評価モジュール

This evaluation module, featuring ISO5852S reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

ISO5452 Unencrypted PSPICE Transient Model (Rev. A)

SLLM445A.ZIP (231 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

ISO5852S IBIS Model

SLLM283.ZIP (33 KB) - IBIS Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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回路図: PDF
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回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

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