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ISO5852S-Q1

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車載対応、分割出力対応、アクティブ保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
UCC21750-Q1 アクティブ 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ Newer generation, integrated Analog-to-PWM sensor

ISO5852S-Q1

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM Classification Level 3A
    • Device CDM Classification Level C6
  • 100-kV/μs Minimum Common-Mode Transient Immunity (CMTI) at VCM = 1500 V
  • Split Outputs to Provide 2.5-A Peak Source and
    5-A Peak Sink Currents
  • Short Propagation Delay: 76 ns (Typ),
    110 ns (Max)
  • 2-A Active Miller Clamp
  • Output Short-Circuit Clamp
  • Soft Turn-Off (STO) during Short Circuit
  • Fault Alarm upon Desaturation Detection is Signaled on FLT and Reset Through RST
  • Input and Output Undervoltage Lockout (UVLO) with Ready (RDY) Pin Indication
  • Active Output Pulldown and Default Low Outputs with Low Supply or Floating Inputs
  • 2.25-V to 5.5-V Input Supply Voltage
  • 15-V to 30-V Output Driver Supply Voltage
  • CMOS Compatible Inputs
  • Rejects Input Pulses and Noise Transients Shorter Than 20 ns
  • Isolation Surge Withstand Voltage 12800-VPK
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000-VPK VIOTM and 2121-VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5700-VRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • CSA Component Acceptance Notice 5A, IEC 60950–1 and IEC 60601–1 End Equipment Standards
    • TUV Certification per EN 61010-1 and EN 60950-1
    • GB4943.1-2011 CQC Certification
    • All Certifications Complete per UL, VDE, CQC, TUV and Planned for CSA

All trademarks are the property of their respective owners.

  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM Classification Level 3A
    • Device CDM Classification Level C6
  • 100-kV/μs Minimum Common-Mode Transient Immunity (CMTI) at VCM = 1500 V
  • Split Outputs to Provide 2.5-A Peak Source and
    5-A Peak Sink Currents
  • Short Propagation Delay: 76 ns (Typ),
    110 ns (Max)
  • 2-A Active Miller Clamp
  • Output Short-Circuit Clamp
  • Soft Turn-Off (STO) during Short Circuit
  • Fault Alarm upon Desaturation Detection is Signaled on FLT and Reset Through RST
  • Input and Output Undervoltage Lockout (UVLO) with Ready (RDY) Pin Indication
  • Active Output Pulldown and Default Low Outputs with Low Supply or Floating Inputs
  • 2.25-V to 5.5-V Input Supply Voltage
  • 15-V to 30-V Output Driver Supply Voltage
  • CMOS Compatible Inputs
  • Rejects Input Pulses and Noise Transients Shorter Than 20 ns
  • Isolation Surge Withstand Voltage 12800-VPK
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000-VPK VIOTM and 2121-VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5700-VRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • CSA Component Acceptance Notice 5A, IEC 60950–1 and IEC 60601–1 End Equipment Standards
    • TUV Certification per EN 61010-1 and EN 60950-1
    • GB4943.1-2011 CQC Certification
    • All Certifications Complete per UL, VDE, CQC, TUV and Planned for CSA

All trademarks are the property of their respective owners.

The ISO5852S-Q1 device is a 5.7-kVRMS, reinforced isolated gate driver for IGBTs and MOSFETs with split outputs, OUTH and OUTL, providing 2.5-A source and 5-A sink current. The input side operates from a single 2.25-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15 V to maximum 30 V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76 ns provides accurate control of the output stage.

An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overcurrent condition. Upon a DESAT detect, a mute logic immediately blocks the output of the isolator and initiates a soft-turnoff procedure which disables the OUTH pin and pulls the OUTL pin to low over a time span of 2 μs. When the OUTL pin reaches 2 V with respect to the most-negative supply potential, VEE2, the gate-driver output is pulled hard to the VEE2 potential, turning the IGBT immediately off.

When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier, pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. Mute logic is activated through the soft-turnoff period. The FLT output condition is latched and can be reset only after the RDY pin goes high, through a low-active pulse at the RST input.

When the IGBT is turned off during normal operation with a bipolar output supply, the output is hard clamp to VEE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low-impedance path which prevents the IGBT from dynamic turnon during high-voltage transient conditions.

The readiness for the gate driver to be operated is under the control of two undervoltage-lockout circuits monitoring the input-side and output-side supplies. If either side has insufficient supply, the RDY output goes low, otherwise this output is high.

The ISO5852S-Q1 device is available in a 16-pin SOIC package. Device operation is specified over a temperature range from –40°C to +125°C ambient.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

The ISO5852S-Q1 device is a 5.7-kVRMS, reinforced isolated gate driver for IGBTs and MOSFETs with split outputs, OUTH and OUTL, providing 2.5-A source and 5-A sink current. The input side operates from a single 2.25-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15 V to maximum 30 V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76 ns provides accurate control of the output stage.

An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overcurrent condition. Upon a DESAT detect, a mute logic immediately blocks the output of the isolator and initiates a soft-turnoff procedure which disables the OUTH pin and pulls the OUTL pin to low over a time span of 2 μs. When the OUTL pin reaches 2 V with respect to the most-negative supply potential, VEE2, the gate-driver output is pulled hard to the VEE2 potential, turning the IGBT immediately off.

When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier, pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. Mute logic is activated through the soft-turnoff period. The FLT output condition is latched and can be reset only after the RDY pin goes high, through a low-active pulse at the RST input.

When the IGBT is turned off during normal operation with a bipolar output supply, the output is hard clamp to VEE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low-impedance path which prevents the IGBT from dynamic turnon during high-voltage transient conditions.

The readiness for the gate driver to be operated is under the control of two undervoltage-lockout circuits monitoring the input-side and output-side supplies. If either side has insufficient supply, the RDY output goes low, otherwise this output is high.

The ISO5852S-Q1 device is available in a 16-pin SOIC package. Device operation is specified over a temperature range from –40°C to +125°C ambient.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.
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技術資料

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* データシート ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features データシート (Rev. A) PDF | HTML 2016/12/22
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026/07/15
EVM ユーザー ガイド (英語) UCC2181xx、UCC217xx、および ISO5x5x 評価基板 PDF | HTML PDF | HTML 2026/06/09
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. M) 2026/05/07
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. S) 2026/05/07
アプリケーション・ノート Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 2024/07/19
証明書 ISO5x5x CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023/11/07
証明書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023/08/16
アプリケーション・ノート ゲート駆動電流を増加させる 2 通りの方法の比較分析 (Rev. A) PDF | HTML 2022/02/17
アプリケーション概要 The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16
証明書 CSA Certification (Rev. Q) 2021/06/14
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
アプリケーション・ノート Isolation Glossary (Rev. A) 2017/09/19

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ISO5852SEVM — 強化絶縁型 IGBT ゲート ドライバの評価基板

この評価基板は、ISO5852S 強化絶縁型ゲート ドライバ デバイスを採用しており、設計者は事前実装済みの 1nF 負荷、あるいは標準的な TO-247 または TO-220 パッケージのいずれかに取り付けた IGBT を使用して、デバイスの AC と DC の性能を評価することができます。

ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-00794 — HEV/EV のトラクション用インバータ向け IGBT モジュール過熱保護のリファレンス デザイン

TIDA-00794 は、HEV / EV（ハイブリッド自動車 / 電気自動車）のトラクション インバータ システム内で IGBT を過熱から保護するための温度センス ソリューションのリファレンス デザインです。IGBT モジュール内蔵の NTC サーミスタを介して IGBT の温度を監視します。NTC サーミスタの温度が上昇し、プログラム済みのスレッショルドを上回った時点で、IGBT ゲート ドライバを過熱シャットダウンする機能を提供します。このリファレンス デザインには、絶縁型 IGBT ゲート ドライバ、高電圧との絶縁機能、NTC シグナル (...)

サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-020014 — 3 種類の IGBT/SiC 向けバイアス電源ソリューション搭載、HEV/EV トラクション インバータ出力段のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、ハイブリッド車と電気自動車（HEV / EV）システム向けに、3 つの 12V 車載バッテリ入力を受け入れ、4.2W バイアス電源ソリューションを搭載した、トラクション インバータの単相出力段を紹介します。すべてのバイアス電源ソリューションは、公称 12V の車載バッテリから、4.5V ～ 42V DC の広い入力電圧範囲を受け入れ、+15V、–8V、または +20V、–4V に構成可能な出力で、最大 180mA の出力電流を供給します。この出力段は、5.7kVRMS の強化絶縁型ゲート ドライバを搭載し、SiC / IGBT ハーフ ブリッジ (...)
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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