ISO5852S-Q1

アクティブ

車載対応、分割出力対応、アクティブ保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
UCC21750-Q1 アクティブ 車載対応、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ Newer generation, integrated Analog-to-PWM sensor

製品詳細

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 2.25 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 2.25 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲    –40°C~125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vのとき、最小同相過渡耐性(CMTI) 100kV/μs
  • 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
    5Aのピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V~30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全関連の認定:
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲    –40°C~125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vのとき、最小同相過渡耐性(CMTI) 100kV/μs
  • 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
    5Aのピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V~30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全関連の認定:
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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ISO5852S-Q1デバイスは、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V~5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

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内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5852S-Q1デバイスは、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V~5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

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内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO5852S-Q1 分割出力とアクティブ安全機能を搭載した高CMTI2.5Aおよび5A 強化絶縁IGBT、MOSFETゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 最新の英語版をダウンロード (Rev.A) PDF | HTML 2016年 10月 14日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. R) 2022年 7月 12日
アプリケーション・ノート ゲート駆動電流を増加させる 2 通りの方法の比較分析 (Rev. A) PDF | HTML 2022年 2月 17日
アプリケーション・ノート The Use and Benefits of Ferrite Beads in Bate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 CQC Certification (Rev. G) 2021年 8月 19日
証明書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
アプリケーション・ノート Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
EVM ユーザー ガイド (英語) ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 評価モジュール

This evaluation module, featuring ISO5852S reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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