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LF356

アクティブ

シングル、36V、5MHz、高スルーレート (12V/μs)、入力電圧から V+ までの電圧範囲に対応する JFET 入力オペアンプ

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比較対象デバイスにアップグレード機能を搭載した、ドロップ・イン代替製品。
TL071H アクティブ -40℃ ～ 125℃ の動作温度範囲、シングル、40V、5MHz、4mV のオフセット電圧、20V/μs、入力電圧から V+ までの電圧範囲に対応するオペアンプ Wider temperature range (-40°C to 125°C), lower quiescent current (0.0937 mA), wider voltage range (4.5 V to 40 V), and improved offset voltage drift
TL081H アクティブ -40℃ ～ 125℃ の動作温度範囲、シングル、40V、5.25MHz、4mV オフセット電圧、20V/μs、入力電圧から V+ までの電圧範囲に対応するオペアンプ Wider supply range (4.5 V to 40 V), higher GBW (5.25 MHz), faster slew rate (20 V/us), lower offset voltage (4 mV), lower power (0.9375 mA)

LF356

アクティブ
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製品詳細

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 Input bias current (max) (pA) 8000 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 Input bias current (max) (pA) 8000 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.
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* データシート LFx5x JFET Input Operational Amplifiers データシート (Rev. D) PDF | HTML 2015/11/30
e-Book（PDF） The Signal - オペアンプ設計ブログ集 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2018/03/23
アプリケーション・ノート AN-272 Op Amp Booster Designs (Rev. B) 2013/04/23
アプリケーション・ノート Effect of Heavy Loads on Accuracy and Linearity of Op Amp Circuits (Rev. B) 2013/04/22
アプリケーション・ノート AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C) 2013/04/22
アプリケーション・ノート Data Acq Using ADC0816 & ADC0817 8-Bit ADC w/On-Chip 16 Chan Multiplexr 2004/05/10
アプリケーション・ノート AN-293 Control Applications of CMOS DACs 2004/05/10
アプリケーション・ノート AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches 2004/05/02
アプリケーション・ノート AN-253 LH0024 and LH0032 High Speed Op Amp Applications 2004/05/02
アプリケーション・ノート AN-275 CMOS D/A Converters Match Most Microprocessors 2004/05/02
アプリケーション・ノート Get Fast Stable Response From Improved Unity-Gain Followers 2002/10/02

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

AMP-PDK-EVM — アンプ パフォーマンス開発キットの評価基板

このアンプ パフォーマンス開発キット (PDK) は、オペアンプの一般的なパラメータをテストするための評価基板 (EVM) キットであり、ほとんどのオペアンプやコンパレータと互換性があります。この評価基板キットは、パッケージのニーズに適した、さまざまなソケット付きドーターカード オプションを搭載したメイン ボードで構成されており、エンジニアはデバイスの性能を迅速に評価および検証できます。

AMP-PDK-EVM キットは、業界標準の最も一般的な次の 5 種類のパッケージをサポートしています。

  • D (SOIC-8 と SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
評価ボード

DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板

DIP-Adapter-EVM は、オペアンプの迅速なプロトタイプ製作とテストを可能にする評価基板です。小型の表面実装 IC とのインターフェイスを迅速、容易、低コストで実現します。付属の Samtec 端子ストリップか、回路への直接配線により、サポートされているオペアンプを接続できます。

DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています：

  • D と U（SOIC-8）
  • PW（TSSOP-8）
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3）
  • DCK（SC70-6、SC70-5）
  • DRL（SOT563-6）
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

LF356 PSPICE Model

SNOM255.ZIP (1 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PDIP (P) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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