LMG3522R030-Q1
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
- 温度グレード 1：–40℃～+125℃、TJ
- ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
- ゲート・ドライバ内蔵の 650V GaN オン Si FET
- 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
- CMTI：200V/ns
- 2.2MHz のスイッチング周波数
- スイッチング性能の最適化と EMI の軽減のための 30V/ns～150V/ns のスルーレート
- 12V の非安定化電源で動作
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- 先進の電源管理
- デジタル温度 PWM 出力
- 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3525R030-Q1)
- 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG352xR030-Q1 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。
LMG352xR030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバよりも広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。
先進の電源管理機能にはデジタル温度レポート機能と TI の理想ダイオード・モードが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を最適に管理できます。理想ダイオード・モードは、適応型デッドタイム制御により第 3 象限の損失を低減することで効率を最大化します。
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技術資料
設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| (RQS) | 52 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
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