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LMG3522R030-Q1

アクティブ

車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1:-40℃~+125℃、T A
    • 接合部温度:–40℃~+150℃、T J
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド・オフ:200V/ns
    • 2-MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns~150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V~18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性:720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度なパワー・マネージメント
    • デジタル温度 PWM 出力
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1:-40℃~+125℃、T A
    • 接合部温度:–40℃~+150℃、T J
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド・オフ:200V/ns
    • 2-MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns~150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V~18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性:720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度なパワー・マネージメント
    • デジタル温度 PWM 出力
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030-Q1 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns~150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度なパワー・マネージメント機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030-Q1 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns~150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度なパワー・マネージメント機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

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技術資料

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* データシート LMG3522R030-Q1 ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 最新の英語版をダウンロード (Rev.D) PDF | HTML 2023年 7月 17日
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EVM ユーザー ガイド (英語) LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) 2021年 2月 3日
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設計および開発

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評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x ファミリ向け、LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)
ユーザー・ガイド: PDF | HTML
ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

ユーザー・ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
シミュレーション・モデル

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
計算ツール

SNOR029 GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
計算ツール

SNOR030 GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

TIDM-02013 — C2000™ マイコン使用、CCM トーテムポール PFC と CLLLC DC/DC を搭載、7.4kW オンボード・チャージャのリファレンス・デザイン

TIDM-02013 は双方向オンボード・チャージャのリファレンス・デザインです。このデザインは、インターリーブ連続導通モード (CCM) トーテムポール (TTPL) ブリッジレス力率補正 (PFC) 電力段と、その後段にある CLLLC DC/DC 電力段で構成されています。これらは両方とも、単一の C2000™ リアルタイム制御マイコン (MCU) を使用して制御するほか、TI の GaN (窒化ガリウム) パワー・モジュールを活用しています。

この電源トポロジは、双方向の電源フロー (PFC とグリッド接続型インバータ) に対応する能力があるほか、GaN (...)

設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010236 — 家電製品向け 4kW GaN トーテム ポール PFC のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、上面冷却型 GaN (窒化ガリウム ドーターボードと TMS320F280025C デジタル コントローラを採用した、4kW CCM (連続導通モード) トーテム ポール力率補正 (PFC) を提示します。LMG352x と C2000 の統合型保護機能に加えて、包括的な保護機能が実装されています。AC 電圧降下、サージ、伝導型電磁波 (conducted emission:CE) に関する包括的な検証を実施済みであり、C2000 と GaN 採用、優れたコスト効率、高い電力効率、高信頼性のトーテム ポール PFC 設計を実現しています。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP22650 — GaN ベース、6.6kW、双方向 オンボード・チャージャのリファレンス・デザイン

PMP22650 リファレンス・デザインは、6.6kW の双方向オンボード・チャージャを提示します。このデザインは、同期整流機能付きの 2 相トーテムポール PFC とフル・ブリッジ CLLLC コンバータを搭載しています。CLLLC は周波数変調と位相変調の両方を活用し、必須のレギュレーション範囲全体で出力のレギュレーションを実施します。このデザインは TMS320F28388D マイクロコントローラの内部にある単一のプロセッシング・コアを使用して、PFC と CLLLC の両方を制御します。同期整流機能は、同じマイクロコントローラに Rogowski (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RQS) 52 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートが活用可能

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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