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Gallium nitride (GaN) power stages
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LMG2100R044

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ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (mV) 100000 RDS(on) (mΩ) 4.4
VDS (max) (mV) 100000 RDS(on) (mΩ) 4.4
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • 4.4mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
  • 電圧定格：連続 80V、パルス 100V
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V、5V、12V の入力ロジック・レベルをサポート
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • ゲート・ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 29.5ns) およびマッチング (標準値 2ns)
  • 低消費電力
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面冷却用の大型 GND パッド
  • 4.4mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
  • 電圧定格：連続 80V、パルス 100V
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V、5V、12V の入力ロジック・レベルをサポート
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • ゲート・ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 29.5ns) およびマッチング (標準値 2ns)
  • 低消費電力
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面冷却用の大型 GND パッド

LMG2100R044 デバイスは、80V 連続、100V パルス、35A ハーフブリッジ電力段で、ゲート・ドライバとエンハンスメント・モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは 2 つの 100V GaN FET で構成され、1 つの高周波数 80V GaN FET ドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。

GaN FET は逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量 C ISS および出力容量 C OSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG2100R044 デバイスは、5.5mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー・パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず最高 12V の入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

LMG2100R044 デバイスは、80V 連続、100V パルス、35A ハーフブリッジ電力段で、ゲート・ドライバとエンハンスメント・モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは 2 つの 100V GaN FET で構成され、1 つの高周波数 80V GaN FET ドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。

GaN FET は逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量 C ISS および出力容量 C OSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG2100R044 デバイスは、5.5mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー・パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず最高 12V の入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。
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技術資料

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* データシート LMG2100R044 100V、35A GaN ハーフ・ブリッジ電力段 データシート PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 7月 11日
技術記事 GaN を採用してエレクトロニクス設計を変革する、4 種類の中電圧向けアプリケーション PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 PDF | HTML 2024年 2月 20日
技術記事 GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 PDF | HTML 2024年 2月 20日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG2100EVM-078 — LMG2100 の評価基板

LMG2100 評価基板 (EVM) はコンパクトかつ使いやすい電力段で、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、またはハーフブリッジを使用する他のコンバータ トポロジとして構成することができます。この評価基板 (EVM) は、LMG2100 ハーフブリッジ パワー モジュールと、2 個の 100V 4.4mΩ GaN FET を採用しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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リファレンス・デザイン

TIDA-010042 — 400W GaN ベース MPPT 充電コントローラと電力オプティマイザのリファレンス・デザイン

This reference design is a Maximum Power Point Tracking (MPPT) solar charge controller for 12V and 24V batteries that can be used as a power optimizer in the future. This compact reference design targets small- and medium-power solar charger designs and is capable of operating with 15V to 60V (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010936 — 統合型モーター ドライブ向け、48V/16A、小型フォーム ファクタ、3 相 GaN インバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、特にモーター内蔵サーボ ドライブやロボット アプリケーションに適した、電力密度の高い 12V ～ 60V の 3 相電力段を提示します。GaN FET とドライバとブートストラップ ダイオード を内蔵した、100V、35A GaN ハーフ ブリッジである LMG2100R044 を 3 個使用しています。  
IN241A 電流センス アンプを使用して高精度の相電流センシングを実現するほか、DC リンクと相電圧も測定しているため、InstaSPIN-FOC™ のような高度なセンサレス設計の検証を実施できます。このデザインは、TI のブースタパックと互換性のある (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23340UCD — 絶縁型デジタル電源コントローラ使用、48V から 12V への変換、GaN 対応、1.1kW、1/8 ブリックのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは 1 個の高性能 GaN を採用し、デジタル電源絶縁型コントローラである UCD3138ARJAT を使用する中間バス コンバータで、高効率と小型フォーム ファクタを両立する方法を提示します。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23340C2K — C2000™ マイコン使用、48V から 12V への変換、GaN 対応、1.1kW、1/8 ブリック パワー モジュールのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは 1 個の高性能 GaN を採用し、中間バス コンバータで高効率と小型フォーム ファクタを両立する方法を提示します。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010933 — GaN ベース、1.6kW、双方向、マイクロインバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、エネルギー ストレージ機能搭載、4 入力、双方向、1.6kW、GaN ベースのマイクロインバータを提示します。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP41068 — GaN 採用、100W Class-D オーディオ アンプのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、GaN HEMT を使用したシングルエンド Class-D 出力段を提示します。このデザインは、パワー スイッチとして LMG2100R044 を使用し、動作周波数は 1MHz です。
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
WQFN-FCRLF (RAR) 16 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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