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LMG3410R050

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ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN

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LMG3410R050

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製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² (8 mm × 8 mm)
  • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
  • Enables high density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20 ns Propagation delay for MHz operation
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with less than 100 ns response
    • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
  • Robust protection
    • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection
    • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
    • Enables high density power conversion designs
      • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
      • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
      • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
      • Digital fault status output signal
      • Only +12 V unregulated supply needed
    • Integrated gate driver
      • Zero common source inductance
      • 20 ns Propagation delay for MHz operation
      • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
      • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
    • Robust protection
      • Requires no external protection components
      • Overcurrent protection with less than 100 ns response
      • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
      • Transient overvoltage immunity
      • Overtemperature protection
      • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
    • Robust protection
      • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
      • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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      LMG3410R050 開発キットを採用すると、GaN の設計を開始できます。

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      * データシート LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020/01/16
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      ホワイト・ペーパー Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016/03/31

      設計と開発

      その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

      評価ボード

      LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム レベル評価マザーボード

      LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ ボードなので、過渡測定に適していません。

      (...)

      ユーザー ガイド: PDF
      サポート対象の製品とハードウェア
      在庫あり
      制限：
      ??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
      入手不可
      ドーター・カード

      LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ ドーター カード

      LMG3410EVM-018 は、2 個の LMG3410R050 600V GaN FET と、内蔵のドライバや保護機能を組み合わせ、1 個のハーフブリッジを構成しています。この EVM は、必要な補助ペリフェラル回路全体を搭載しており、より大規模なシステムと組み合わせた場合も動作する設計を採用しています。
      ユーザー ガイド: PDF
      サポート対象の製品とハードウェア
      在庫あり
      制限：
      ??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
      入手不可
      シミュレーション・モデル

      LMG3410R050 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

      SNOM689A.ZIP (44 KB) - PSpice モデル
      サポート対象の製品とハードウェア
      シミュレーション・モデル

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      SNOM676A.ZIP (42 KB) - PSpice モデル
      サポート対象の製品とハードウェア
      計算ツール

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      サポート対象の製品とハードウェア
      計算ツール

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      サポート対象の製品とハードウェア
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      サポート対象の製品とハードウェア
      リファレンス・デザイン

      PMP40690 — C2000™ マイコン (MCU) と GaN を使用する 4kW インターリーブ CCM トーテムポール ブリッジレス PFC のリファレンス デザイン

      このリファレンス デザインは、4kW のインターリーブ CCM トーテムポール (TTPL) ブリッジレス PFC のリファレンス デザインであり、64 ピンの C2000™ マイコン、LM3410 GaN (窒化ガリウム) デバイス、TMCS1100 ホール センサを使用しています。これは、C2000™ MCU を使用した TIDM-02008 双方向インターリーブ CCM TTPL ブリッジレス PFC リファレンス デザインに基づくもので、総 PCB 寸法は 145 mm x 105 mm x 35 mm (...)
      サポート対象の製品とハードウェア
      パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
      TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

      購入と品質

      推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

      サポートとトレーニング

      TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

      投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

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