ホーム パワー・マネージメント Power stages 窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3410R050

アクティブ

ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN

製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
  • 統合型ゲート・ドライバ
    • 共通ソース・インダクタンスが 0
    • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを 25~100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
    • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールの UVLO 保護
  • 堅牢な保護
    • LMG3410R050:ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R050:サイクル単位の過電流保護
    • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
    • 高密度の電力変換設計が可能
      • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
      • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
      • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
      • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
      • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
    • 統合型ゲート・ドライバ
      • 共通ソース・インダクタンスが 0
      • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
      • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
      • スルー・レートを 25~100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
    • 堅牢な保護
      • 外付けの保護部品が不要
      • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
      • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
      • 過渡過電圧耐性
      • 過熱保護
      • すべての電源レールの UVLO 保護
    • 堅牢な保護
      • LMG3410R050:ラッチ付き過電流保護
      • LMG3411R050:サイクル単位の過電流保護

      ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

      LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

      ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

      LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

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      技術資料

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      種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
      * データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
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      その他の技術資料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
      Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020年 9月 22日
      アプリケーション・ノート Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 2020年 8月 4日
      その他の技術資料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
      EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
      アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
      技術記事 Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts PDF | HTML 2018年 12月 19日
      アプリケーション概要 Overcurrent Protection in High-Density GaN Power Designs 2018年 10月 19日
      その他の技術資料 Product-level Reliability of GaN Devices 2016年 4月 26日
      ホワイト・ペーパー Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日

      設計および開発

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      評価ボード

      LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

      LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

      (...)

      ユーザー ガイド: PDF
      ドーター・カード

      LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

      LMG3410EVM-018 は、2 個の LMG3410R050 600V GaN FET と、内蔵のドライバや保護機能を組み合わせ、1 個のハーフブリッジを構成しています。この EVM は、必要な補助ペリフェラル回路全体を搭載しており、より大規模なシステムと組み合わせた場合も動作する設計を採用しています。
      ユーザー ガイド: PDF
      シミュレーション・モデル

      LMG3410R050 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

      SNOM689A.ZIP (44 KB) - PSpice Model
      計算ツール

      LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

      Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      窒化ガリウム (GaN) 電力段
      LMG2100R044 ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2650 ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
      計算ツール

      SNOR029 GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      窒化ガリウム (GaN) 電力段
      LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
      計算ツール

      SNOR030 GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      サポート対象の製品とハードウェア

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      製品
      窒化ガリウム (GaN) 電力段
      LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
      リファレンス・デザイン

      PMP40690 — C2000™ マイコンと GaN を使用する 4kW インターリーブ CCM トーテムポール・ブリッジレス PFC のリファレンス・デザイン

      This reference design is a 4-kW interleaved CCM totem pole (TTPL) bridgeless PFC reference design using a 64-pin C2000™ microcontroller, LM3410 gallium nitride device and TMCS1100 hall sensor. It is based on TIDM-02008 bidirectional interleaved CCM TTPL bridgeless PFC reference (...)
      試験報告書: PDF
      回路図: PDF
      パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian

      購入と品質

      記載されている情報:
      • RoHS
      • REACH
      • デバイスのマーキング
      • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
      • MSL 定格 / ピーク リフロー
      • MTBF/FIT 推定値
      • 使用原材料
      • 認定試験結果
      • 継続的な信頼性モニタ試験結果
      記載されている情報:
      • ファブの拠点
      • 組み立てを実施した拠点

      サポートとトレーニング

      TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

      コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

      TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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