LMG3522R030-Q1
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
- 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
- 接合部温度：–40℃～+150℃、TJ
- ゲート ドライバ内蔵の 650 V GaN オン Si FET
- 高精度のゲート バイアス電圧を内蔵
- FET ホールド オフ：200V/ns
- 2MHz のスイッチング周波数
- 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 7.5V～18V 電源で動作
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 <100ns のラッチ付き短絡保護
- ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- 高度なパワー マネージメント
- デジタル温度 PWM 出力
- 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030-Q1 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。
LMG3522R030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。
先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。
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