LMG3522R030-Q1

プレビュー

車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

製品詳細

RDS (on) (Milliohm) 30 VDS (Max) (V) 650 ID (Max) (A) 55 Rating Automotive
RDS (on) (Milliohm) 30 VDS (Max) (V) 650 ID (Max) (A) 55 Rating Automotive
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • 温度グレード 1:–40℃~+125℃、TJ
  • ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • CMTI:200V/ns
    • 2.2MHz のスイッチング周波数
    • スイッチング性能の最適化と EMI の軽減のための 30V/ns~150V/ns のスルーレート
    • 12V の非安定化電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性:720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 先進の電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3525R030-Q1)
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • 温度グレード 1:–40℃~+125℃、TJ
  • ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • CMTI:200V/ns
    • 2.2MHz のスイッチング周波数
    • スイッチング性能の最適化と EMI の軽減のための 30V/ns~150V/ns のスルーレート
    • 12V の非安定化電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性:720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 先進の電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3525R030-Q1)
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG352xR030-Q1 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG352xR030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバよりも広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。

先進の電源管理機能にはデジタル温度レポート機能と TI の理想ダイオード・モードが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を最適に管理できます。理想ダイオード・モードは、適応型デッドタイム制御により第 3 象限の損失を低減することで効率を最大化します。

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG352xR030-Q1 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG352xR030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバよりも広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。

先進の電源管理機能にはデジタル温度レポート機能と TI の理想ダイオード・モードが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を最適に管理できます。理想ダイオード・モードは、適応型デッドタイム制御により第 3 象限の損失を低減することで効率を最大化します。

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x ファミリ向け、LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ・ブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定には適していません。

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ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要とされるすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この EVM (評価基板) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

PMP22650 — GaN ベース、6.6kW、双方向 オンボード・チャージャのリファレンス・デザイン

PMP22650 リファレンス・デザインは、6.6kW の双方向オンボード・チャージャを提示します。このデザインは、同期整流機能付きの 2 相トーテムポール PFC とフル・ブリッジ CLLLC コンバータを搭載しています。CLLLC は周波数変調と位相変調の両方を活用し、必須のレギュレーション範囲全体で出力のレギュレーションを実施します。このデザインは TMS320F28388D マイコンの内部にある単一のプロセッシング・コアを使用して、PFC と CLLLC の両方を制御します。同期整流機能は、同じマイコンに Rogowski (...)
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PMP23069 — 180W/in³ (10.98W/立法 cm) を上回る電力密度を達成する、3.6kW の単相トーテム・ポール・ブリッジレス PFC のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、GaN ベースの 3.6kW 単相連続導通モード (CCM) トーテム・ポール力率補正 (PFC) コンバータであり、最大の電力密度を目標にしています。電力段の後段に小型の昇圧コンバータを配置しており、バルク・コンデンサのサイズ小型化に貢献します。ドライバと保護機能を内蔵した上面冷却型 GaN である LMG3522 を採用した結果、効率の向上や、電源のサイズ小型化と複雑さの低減を実現しています。F28004x または F28002x の各 C2000™ コントローラは、多様な高度制御用途に適しており、高速リレー制御、AC (...)
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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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