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Gallium nitride (GaN) power stages
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LMG3526R030

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ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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LMG3526R030

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製品詳細

VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド・オフ：200V/ns
    • 2MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
  • ソフト・スイッチング・コンバータを容易にするゼロ電圧検出機能
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド・オフ：200V/ns
    • 2MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
  • ソフト・スイッチング・コンバータを容易にするゼロ電圧検出機能

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3526R030 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3526R030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度な機能として、デジタル温度レポート、障害検出、ゼロ電圧検出 (ZVD) などがあります。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されます。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能は、ゼロ電圧スイッチング (ZVS) が実現されたときに、ZVD ピンからのパルス出力を提供できます。

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3526R030 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3526R030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度な機能として、デジタル温度レポート、障害検出、ゼロ電圧検出 (ZVD) などがあります。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されます。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能は、ゼロ電圧スイッチング (ZVS) が実現されたときに、ZVD ピンからのパルス出力を提供できます。
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技術資料

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* データシート LMG3526R030 ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 5月 23日
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ホワイト・ペーパー Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021年 6月 2日
アプリケーション・ノート Thermal Design and Performance of Top-Side Cooled QFN 12x12 Package 2021年 3月 5日

設計と開発

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評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x ファミリ向け、LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
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ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

ユーザー ガイド: PDF
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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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Gallium nitride (GaN) power stages
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リファレンス・デザイン

PMP40988 — 可変周波数、ZVS (ゼロ電圧スイッチング)、5kW、GaN ベース、2 相トーテムポール PFC のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、高密度で高効率の 5kW トーテムポール力率補正 (PFC) 設計です。このデザインは、可変周波数と ZVS (ゼロ電圧スイッチング) の組み合わせで動作する 2 相トーテムポール PFC を使用しています。この制御方式は、新しいトポロジと改良型の三角波電流モード (ITCM) を使用し、小型化と高効率化を実現します。このデザインは、TMS320F280049C マイコンの内部にある高性能プロセッシング・コアを使用し、広い動作範囲にわたって効率を維持します。この PFC は 100kHz～800kHz の可変周波数範囲で動作します。電力密度が (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RQS) 52 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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