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窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3425R050

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ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Ideal diode mode, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Ideal diode mode, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • ハード スイッチング トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート ドライバ内蔵の 600 650V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド オフ：200V/ns
    • 3.6MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と100ns未満の応答時間を持つラッチ付き短絡保護
    • ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度なパワー マネージメント
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード モードによる第 3 象限での損失の低減
  • ハード スイッチング トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート ドライバ内蔵の 600 650V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド オフ：200V/ns
    • 3.6MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と100ns未満の応答時間を持つラッチ付き短絡保護
    • ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度なパワー マネージメント
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード モードによる第 3 象限での損失の低減

統合型ドライバと保護機能を搭載した LMG3425R050 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を実現できます。

LMG3425R050 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出、理想ダイオードモードを備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告される障害には、過電流、短絡、過熱、VDD UVLO、高インピーダンス RDRV ピンがあります。理想ダイオード モードは、デッドタイム制御を有効化することにより、第 三 象限の損失を低減します。

統合型ドライバと保護機能を搭載した LMG3425R050 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を実現できます。

LMG3425R050 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出、理想ダイオードモードを備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告される障害には、過電流、短絡、過熱、VDD UVLO、高インピーダンス RDRV ピンがあります。理想ダイオード モードは、デッドタイム制御を有効化することにより、第 三 象限の損失を低減します。
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技術資料

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* データシート LMG3425R050 600 V 50 mΩ GaN FET、統合型ドライバと保護機能および温度レポート機能搭載 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 3月 8日
ホワイト・ペーパー Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021年 6月 2日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 2021年 1月 5日
アプリケーション・ノート Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) PDF | HTML 2020年 11月 19日
技術記事 How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene PDF | HTML 2020年 11月 17日
その他の技術資料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020年 9月 22日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評価基板

LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ ブリッジ ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト (外部取り出し) ボードです。この評価基板 (EVM) は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN (窒化ガリウム) デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
ドーター・カード

LMG3425EVM-041 — LMG3425R050 理想ダイオード モード搭載の 600V 50mΩ ハーフブリッジ ドーター カード

LMG3425EVM-041 は、2 個の LMG3425R050 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、すべての必要な補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
リクエスト
シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
ダウンロード
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ クランプ フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2652 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、140mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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